晶盛机电：12英寸碳化硅尚不具备大规模产业化条件
日前，晶盛机电在投资者互动平台表示，在导电型碳化硅领域，公司已实现6–12英寸长晶技术自主可控
新声半导体完成近3亿元B+轮融资
近日，新声半导体宣布已完成2.88亿元B+轮融资，进一步巩固新声半导体在本土中高端滤波器领域的龙头地位。
青神美矽半导体封装材料项目预计月底交付
近日，位于青神经开区的美矽年产2万吨半导体封装材料项目（以下简称青神美矽项目）迎来新进展，其主体厂房已完成封顶，停车场已完成施工，即将开展定制化设备安装，预计8月底交付使用，11月投产。
成都华微：超低功耗RISC-V MCU成功发布
8月11日晚间，成都华微电子科技股份有限公司（下简称“成都华微”）自愿披露公告，宣布公司研发的超低功耗 RISC-VMCU 于近日成功发布。
深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息，近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）
内蒙古显鸿集成电路产业园项目正式投产
据内蒙古和林格尔新区官微消息，近日，内蒙古显鸿科技股份有限公司在新建成的显鸿集成电路产业园举行乔迁仪式，标志着显鸿集成电路产业园项目正式投产。
浙江萃锦半导体器件项目开工
据中电四公司官微消息，日前，浙江萃锦半导体有限公司年产120万只中高功率半导体器件项目开工仪式在宁波慈溪市高新区举行。
SkyWater已完成并购英飞凌Fab 25厂
据外媒报道，8月6日，SkyWater公布了2025年第二季度财务业绩。其中提到，SkyWater已于6月30日完成了对英飞凌位于德克萨斯州奥斯汀的旗舰工厂25号厂房的收购。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
ASMPT 宣布关闭位于中国深圳的半导体设备工厂
8月11日，全球领先的半导体和电子制造公司ASMPT 今日宣布，将对其在中国的设备生产和运营进行战略性调整优化。
英伟达拟投资数十亿美元打造以色列科技园区
据外媒报道，近日，英伟达正积极寻求土地，计划在其以色列北部现有设施附近建设一个耗资数十亿美元的大型科技园区，预计将提供数千个就业岗位，这将英伟达在以色列业务的一次重大扩张。
LG电子启动混合键合设备开发，目标2028年实现大规模量产
据韩媒报道，7月13日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。
总投资约55亿元，芯德科技人工智能先进封测基地项目开工
6月30上午，南京市举行6月份全市重大产业项目推进活动，芯德科技人工智能先进封测基地项目开工。
