中微公司华南总部研发及生产基地项目正式开工

据中微公司官微消息,9月19日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司)于广州市增城经济技术开发区隆重举办开工仪式,宣布其旗下的华南总部研发及生产基地项目正式开工启动。

俄罗斯发布EUV光刻机路线图:2036年实现10nm以下制程芯片制造

据外媒报道,近日,俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图,显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发,2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发,并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光(EUV)光刻机的研发。

至信微电子南通模块厂正式落成

据至信微电子官微消息,9月29日,至信微(南通)模块厂正式开工,该厂的落成标志着至信微在碳化硅功率模块制造领域迈出关键一步。

战略突破:三菱电机以匠人心态引领功率半导体技术革新

三菱电机半导体产品包括三菱功率模块(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等)、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品,其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求;而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。

晶盛机电12英寸SiC中试线通线

据晶盛机电官微消息,9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。

康盈半导体存储芯片总部及产业化基地项目开工

据衢州智造新城官微消息,9月29日,浙江康盈半导体科技有限公司(下简称“康盈半导体”)存储芯片总部及产业化基地项目在智造新城东港片区正式开工,将建设集先进存储芯片设计、研发、封测于一体的综合性生产基地。

中芯国际的“万亿时刻”

9月18日,半导体板块持续走强,其中,中芯国际昨日股价刚刷新历史新高,今日早盘一度大涨超8%,再创历史新高,总市值盘中突破1万亿元。午盘后股价略有回落,最终收于122.15元,总市值9771亿元。

机构:明年三星电子HBM市场占有率将超过30%

预测显示,三星电子明年在高带宽存储器(HBM)市场的份额将超过30%。尽管今年上半年三星电子表现不佳,落后于SK海力士和美光,但分析师预测,随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链,其销量将有所增长。