上海科研团队研制出超高速闪存,每秒存取25亿次

据科技日报消息,近日,由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件,擦写速度快至400皮秒,相当于每秒可执行25亿次操作,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。

ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV设备

据外媒报道,近日,ASML技术高级副总裁Jos Benschop在受访时表示,该企业已与光学组件独家合作伙伴蔡司一同启动了单次曝光实现5nm分辨率的Hyper NA光刻机开发,能满足2035年乃至更后阶段的产业需求。

三星计划2028年将玻璃基板导入先进封装

据韩媒报道,有消息称,三星电子已确定计划在2028年将玻璃基板引入先进半导体封装领域,其要点是用玻璃中介层取代硅中介层,这也是三星电子玻璃基板路线图首次被确认。

浙江12英寸CMOS二期项目新进展

据浙大杭州国际科创中心官微消息,日前,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)项目一期(六阶段)工程、浙江省集成电路创新平台二期A12号楼首段大体积筏板混凝土浇筑任务顺利完成。

思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产

据思锐智能官微消息,日前,思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉,思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造,总占地约95亩,总建筑面积约8.9万平方米,计划投资超12亿元,聚焦原子层沉积镀膜(ALD)和离子注入机(IMP)两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示,思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基

立讯精密向港交所提交上市申请书

8月18日,立讯精密发布公告称,公司已于当日向香港联合交易所有限公司递交了发行境外上市股份(H 股)并在香港联交所主板挂牌上市的申请,并在香港联交所网站刊登了本次发行的申请材料。