6月27日，在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际，安世半导体与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布：计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术的产品。这一举措充分展现了公司对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。
