总投资12.7亿元，中国电科（山西）三代半导体技术创新中心项目主体封顶

近日，中国电科（山西）三代半导体技术创新中心项目主体结构顺利封顶。

据悉，中国电科（山西）三代半导体技术创新中心位于山西综改示范区潇河新兴产业园区，由中国电科二所负责实施。包括东区占地203亩的三代半导体技术创新中心试验验证线及配套项目，西区占地312亩的微电子智能制造产业基地项目，计划总投资12.7亿元，分两期建设。一期项目建成后，具备年产600台/套智能制造装备、24000片/年陶瓷基板和电路模块的能力，建成6英寸宽禁带半导体制造装备工艺验证平台和共性技术研发平台。