镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂

据镓仁半导体官微消息，日前，杭州镓仁半导体有限公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂，为下游客户提供更加丰富的产品选择，助力行业发展。

此前，镓仁半导体在VB法氧化镓单晶生长方面实现了直径4英寸的突破，之后在此基础上进一步开展导电型掺杂工作，研发团队仅用一炉次即实现了4英寸导电型氧化镓单晶生长，且长晶结果可稳定重复。充分说明了镓仁半导体自研氧化镓专用晶体生长设备及其配套的晶体生长工艺，在VB法氧化镓单晶生长方面具有高适配性、高稳定性、高容错率的优势。

据悉，本次生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面衬底。