据外媒报道，近日，美光（Micron）公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，该公司预计将于2026年开始量产。
据悉，HBM4预计将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，并采用2048位宽接口，这使得该技术比上一代产品更加优越。美光表示，凭借在成熟的1β（第五代10nm技术）工艺技术方面的坚实基础和持续投资，预计HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比HBM3E提升50%以上。预计HBM4将于2026年大批量上市。
此外，美光还透露，HBM4E将紧随HBM4之后推出。HBM4E将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为一些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变
