自IBM官方获悉，日前，IBM和日本芯片制造商Rapidus在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压GAA晶体管研发成果，这些技术突破有望用于Rapidus的2nm制程量产。
IBM表示，先进制程升级至2nm后，晶体管的结构将由传统的FinFET转为GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）。虽然实现了性能飞跃，但也带来了新的调整：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。
据悉，2nm制程中，N型和P型半导体通道之间的距离极其狭窄，要求光刻技术达到前所未有的精度。IBM与Rapidus通过引入两种独特的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功地在不影响半导体性能的前提下，实现了多阈值电压的目标，这一成就标志着2nm芯片制造技术的重大进步。
IBM相关技术人员表示，与FinFET相比，Nanosheet纳米片的结构更为复杂，但也更为先进。“我们开发的新生产工艺不仅简化了制造流程，还提高了可靠性，这为Rapidus在2纳米片技术上实现大规模生产铺平了道路。”
