据镓仁半导体官微消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）二期工厂正式启用，标志着公司在氧化镓领域的战略布局进一步深化，生产能力实现质的飞跃。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。
据悉，在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已全面进线，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。技术总监夏宁表示：“垂直布里奇曼法是全球公认的氧化镓产业化的关键技术，我们作为国内唯一能提供此类设备的供应商，致力于推动氧化镓行业的快速发展，并期待与更多客户共同解决行业难题。”
据了解，镓仁半导体在氧化镓衬底材料和专用设备的研发上取得了重大突破，拥有多项国际和国内发明专利，成功打破了西方国家在该领域的垄断。这一成就不仅提升了我国在宽禁带半导体材料领域的自主创新能力，也为全球半导体产业的多元化发展做出了贡献。
