据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
（图源：镓仁半导体）
此次的重大突破，不仅成功打破了西方国家在氧化镓设备、材料领域的技术封锁，并且为国家重大需求提供了有力支撑。镓仁半导体表示，将不断致力于在氧化镓产业链中持续创新，为我国半导体产业的发展提供坚实的产品保障。
据了解，今年9月，镓仁半导体推出了自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。目前，国内外氧化镓市场供应的晶圆级衬底尺寸主要集中在2英寸和4英寸。镓仁半导体的设备在能够生产多种不同晶面的单晶氧化镓的同时，还具备了升级至4英寸单晶的能力。这不仅适应了不断进步的外延技术和器件需求，还能满足高校、科研机构以及企业客户在氧化镓晶体生长方面进行科研和生产的各项需求。
