自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。
德州仪器技术与制造高级副总裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片设计和制造方面拥有十多年的丰富经验后，TI成功地将200mm GaN技术（这是目前制造GaN的最具可扩展性和成本竞争力的方法）应用于会津工厂的量产。这一里程碑使德州仪器能够在内部制造更多的GaN芯片，同时将内部制造比例提高到2030年的95%以上，确保可靠供应。
此外，德州仪器扩大的投资还包括今年早些时候进行的300mm晶圆GaN制造工艺的成功试点。
