SK海力士准备首次将“2.5D扇出”(Fan out)封装作为下一代内存技术。根据业内消息,SK海力士准备在HBM后下一代DRAM中集成2.5D扇出封装技术。

韩媒BusinessKorea报道称,这种技术将两个DRAM芯片横向排列,再像芯片一样组合,因为芯片下面没添加基板,能使芯片更薄,安装在IT设备时的芯片厚度能大幅减少。SK海力士最快明年公开采用这种封装方式的研究成果。

2.5D扇出封装技术以前从未用于内存产业,过去主要是用于先进的系统半导体制造领域。台积电2016年首次将扇出芯片级封装(FOWLP)商业化,将其16纳米应用处理器与移动DRAM集成到iPhone 7的一个封装中,从而使这项技术推向舞台。三星电子从今年第四季开始将这一技术导入Galaxy智能手机高级AP封装中。

外界猜测,SK海力士之所以在内存使用扇出封装,是为了降低封装成本。2.5D扇出封装技术可跳过硅通孔(TSV)制程,从而提供更多I/O数量并降低成本。业内人士推测,这种封装技术将应用于Graphic DRAM(GDDR)和其他需要扩展资讯I/O产品。

除了利用这项技术外,SK海力士也努力巩固与英伟达的合作,后者在HBM市场处于领先地位;SK海力士也成为苹果Vision Pro中R1这种特殊DRAM芯片的独家供应商。

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