德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
HBM4标准正式发布
据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。
国家大基金加码中芯国际！406 亿股权收购 + 77.78 亿美元增资
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晶盛机电半导体材料抛光及减薄设备项目建成时间延后至明年6月
据消息，晶盛机电6月15日发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》。同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。
奕泰微电子完成Pre-A++轮融资
近日，南京奕泰微宣布完成Pre-A++轮融资，基石创投投资，距离上一轮融资仅相隔两个月。至此，公司Pre-A轮累计完成数亿元融资，投资机构包括汇芯投资、德联资本、俱成资本、一旗力合、鹏晨投资、中科创星、同创共进、基石创投，汉能投资担任独家财务顾问。本轮资金主要用于产品研发。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
三星和SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线
三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺
美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
