清华大学获芯片领域重要突破
从清华大学获悉，针对大规模光电智能计算难题，清华大学电子工程系副教授方璐课题组、自动化系戴琼海院士课题组，摒弃传统电子深度计算范式，另辟蹊径，首创分布式广度光计算架构，研制大规模干涉-衍射异构集成芯片太极（Taichi），实现160 TOPS/W的通用智能计算。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
三星和AMD延长IP战略许可协议，将Radeon™图形技术引入未来移动平台
三星电子和AMD（美国超威半导体公司）联合宣布，共同签署了一项长期协议以加强双方的战略合作关系，通过这次扩展合作，将多代高性能、超低功耗的AMD Radeon™图形解决方案引入三星Exynos SoC扩展产品组合中
华虹公司证实：将代工意法半导体40nm MCU
据报道，11月21日，意法半导体在投资者活动现场宣布，公司正和中国晶圆代工厂华虹公司开展合作，将与华虹合作在中国生产40nm节点的微控制器单元（MCU）。
韩国2月半导体出口额下降 41.5%
3 月 14 日，韩国科技部今日公布了其 2 月份 ICT 出口统计数据。据悉，韩国 ICT（信息和通信技术）上个月出口额仅有 128.2 亿美元（备注：当前约 879.45 亿元人民币），同比下降 32.0%，这已经是 ICT 出口连续八个月持续下滑
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
格芯先进制程落后引发担忧，硅光子与功率芯片是方向
在半导体行业持续发力人工智能（AI）的背景下，格芯迟迟未进军7nm及以下先进制程引发业界担忧，怀疑其能否深度参与人工智能市场。台积电、三星、英特尔等纷纷进军先进制程工艺，而格芯自2018年8月起，宣布无限期搁置7nm以下技术研发。
英特尔与台积电联手开发多晶片封装芯片
9月22日，英特尔宣布，与台积电携手，打造全球首款符合Chiplet互连产业联盟（UCIe）标准的多晶片封装芯片，当中包含英特尔与台积电各自生产的IC
