金信新材料8英寸碳化硅晶锭项目完成研发

据长江新区官微消息,近日,武汉金信新材料有限公司(简称“金信新材料”)芯片用第三代半导体8英寸碳化硅晶锭项目完成研发,通过了行业专家验证,金信新材料加工生产的碳化硅超纯结构件各项指标均达到发达国家同类产品水平。

国际首款X/γ核辐射剂量探测芯片成功实现量产

据中核集团官微消息,近日,由中核集团原子能院核安全与环境工程技术研究所研发的国际首款X/γ核辐射剂量探测芯片成功实现量产,实现了从“1”到“100”的产业化突破,打通了科技成果向新质生产力转化的“最后一公里”。

纵慧芯光FabX成功通线

据纵慧芯光官微消息,近日,纵慧芯光FabX完成了厂房设计、建设及设备选型调试,并攻克了产品外延结构设计、Fab工艺开发等多项技术难题,成功实现项目通线。

环球晶圆将获美4.06亿美元补助

据外媒报道,美国商务部17日宣布将根据《芯片和科学法案》,向环球晶圆(GlobalWafers)美国子公司提供高达4.06亿美元的直接补助。

消息称三星电子今年底启动HBM4内存流片 为明年底量产做准备

三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片,为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间,三星电子的HBM4 12H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺,改进后的样品将向主要客户出样。