自日本丰田合成株式会社官网获悉，近日，日本丰田合成株式会社（下简称：丰田合成公司）成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。
据介绍，与使用采用硅基GaN工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于200mm和300mm晶圆。大阪大学和丰田合成公司的研究人员制作了一个200mm多点种子 (MPS) 衬底，并成功在衬底上生长出对角线长度略小于200mm的六角形 GaN 晶体。这采用了 Na-flux 工艺，这是一种成熟的高温液相外延 (LPE) 工艺。研究人员预计 Na-flux 法将成为获得理想块状 GaN 晶体的关键技术。
据悉，该衬底用于生长600V垂直GaN晶体管，具有常闭操作，栅极电压阈值超过2V，导通状态下最大漏极电流为3.3A。此外，它还表现出超过600V的击穿电压和关断状态下的低漏电流。
丰田合成表示，将继续与政府、大学和其他公司合作，尽早推广大尺寸GaN基板。
