株洲中车8英寸SiC产线年底通线
日前，株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露，株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
国产量子芯片设计软件“本源坤元”成功突破设计瓶颈
国产量子芯片设计软件“本源坤元”近日完成了其第五次技术迭代，成功突破了大规模量子芯片设计的技术瓶颈
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
环球晶：扩增12英寸硅晶圆产能是必要步骤
5月26日，环球晶（GlobalWafers）召开股东常会，董事长徐秀兰预期2025年的运营表现将优于2024年。客户持续去库存化使得存货状况得到改善，为公司的未来发展奠定了基础。
三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证
《科创板日报》28日讯，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。
联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产
在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。
