天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。

Rapidus称将建设1.4nm芯片厂

10 月 25 日消息,据外媒报道,日本先进芯片制造商 Rapidus 社长小池淳义称,若 2nm 制程量产顺利计划建设更为先进的 1.4nm 工艺第二晶圆厂。

三星将出售西安芯片厂旧设备及产线

据韩媒报道,三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备,其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称,三星近期正在半导体部门(DS)实施大规模成本削减和产线调整,并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始,销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来,三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。