晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定
据消息，6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。
三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
英特尔接收的两台ASML High NA EUV已投入生产
据外媒报道，英特尔于周一表示，去年接收的两台ASML高数值孔径极紫外光EUV已投入生产。英特尔资深总工程师卡森表示，ASML这两台尖端机器已生产了3万片晶圆。
台积电放出厂务工程竞标和CoWoS设备急单
据悉，台积电近期将展开厂务工程竞标，由于时间紧迫，希望年底至2025年上半能完成，估计此订单将会是加价急单价格。
总投资25亿元 思亚诺芯片封装项目落户湖北鄂州
资料显示，思亚诺（武汉）存储技术有限公司主要从事数据处理和存储支持服务、集成电路芯片及产品的设计、制造与销售等业务。
晶盛机电12英寸SiC中试线通线
据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。
