总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆
SK海力士预计9月底量产12层HBM3E内存
据媒体报道，9月4日，SK海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）在演讲中表示，其8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品，并将于本月底开始量产12层HBM3E。
开发一款2nm芯片需要多少钱
随着先进制程的持续推进，每个新的制程节点的成本都在提升，并且提升的幅度越来越大。研究机构International Business Strategies(IBS)的分析认为，下一代的2nm制程的成本将会比目前的3nm制程上涨高达50%，最终导致 2nm 晶圆的价格将达到 3 万美元
华润微总裁李虹：聚合创新及应用优势推动集成电路产业高质量发展
报告中指出，广东的芯片设计占全国20%，封装15%，但晶圆制造只占1.5%，材料和装备只占4%，与广东省的GDP相比是极不匹配的
台积电计划在欧洲设立更多晶圆厂
近期，彭博社报道，台湾地区业界透露，台积电正计划在欧洲设立更多厂，并将重点放在人工智能（AI）芯片市场，以扩大该芯片制造商的全球版图。
消息称三星下调HBM产能目标至每月17万颗
据报道，业内人士透露，三星电子已将2025年底HBM（高带宽内存）最大产能（CAPA）目标降低10%以上，从原来的每月20万颗下调至每月17万颗
