美国半导体巨头争相进博会
美光科技（Micron Technology）和亚德诺半导体（Analog Devices，ADI）为首次参展。尽管美国对中国实施了尖端半导体出口管制，但在非尖端领域的交易依然活跃，参展企业中甚至出现了期待美国主导的管制措施放宽的声音
消息称三星3nm良率翻至3倍 仍不及台积电
据消息，三星致力提高3nm GAA工艺良率，近日，消息人士称，其良率提高到原来的三倍，即3nm工艺从之前10%~20%的良率提升至30%~60%之间，但仍然落后于台积电
传感器遇上无线通信：实现无缝连接的智能世界
慕尼黑上海电子展将于2025年4月15-17日在上海新国际博览中心W3-W5、N1-N5举办。
意法半导体将与三安光电成立碳化硅合资公司
据意法半导体官网，意法半导体今日宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业司
合肥世纪金芯获日本13万片8英寸SiC衬底订单
据消息，近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称“世纪金芯”）与日本某客户签订了SiC衬底片订单。
蔚华科与南方科技共建先进光学材料检测实验室 抢攻第三代半导体检测分析市场
半导体测试解决方案专业品牌蔚华科技（TWSE: 3055）与数位光学新兴品牌南方科技(Southport Corporation) 宣布扩大合作，与日昌光电三方结盟共同打造「先进光学材料检测实验室」提供专业光学检测服务。实验室将于2023年2月在台湾林口正式启用
国内首台40nm明场纳米图形晶圆缺陷检测设备发布
据消息，近日，天准科技参股的苏州矽行半导体技术有限公司（下文简称“矽行半导体”）宣布，公司面向40nm技术节点的明场纳米图形晶圆缺陷检测设备TB1500已完成厂内验证，标志着国产半导体高端检测设备实现了新的突破。
国内首次，镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破
据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
Wolfspeed 8英寸厂向中国客户批量出货SiC MOSFET
莫霍克谷器件工厂已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅 MOSFET，首批供应的产品型号为 C3M0040120K
