消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
韩美半导体第七座HBM TC Bonder工厂开工
自韩美半导体(HANMI)官网获悉，1月6日，韩美半导体举行了其第七座HBM TC Bonder工厂的奠基仪式。
国内首台超大尺寸钙钛矿高速激光刻蚀成套设备发布
据消息，8月13日，武汉元禄光电技术有限公司（以下简称“元禄光电”）在光谷发布全国首台“20振镜头大幅面钙钛矿高速激光刻蚀成套设备”。
德国将提供200亿欧支持国内芯片生产
德国政府已经同意为英特尔一家新工厂提供100亿欧元的资助，并且正在磋商向包括台积电和德国英飞凌科技等公司提供大约70亿欧元补助。另外，德国政府就投资台积电在东部德累斯顿建厂的谈判已经进入了最后阶段，知情人士透露，多达50亿欧元的补贴编入了预算，约占新厂预估投资额100亿欧元的一半。
聚焦产业热点，2024慕尼黑华南电子展梳理电子行业10大热门话题
2024年已经进入下半场。随着半导体产品去库存化，行业格局整合，AI+消费电子拉动下游需求回暖，全球半导体市场正逐步触底回升
盛美上海宣布推出带框晶圆清洗设备
5月22日，盛美上海宣布推出用于先进封装的带框晶圆清洗设备。该设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
