晶合集成三期项目实施主体增资至95.9亿
据天眼查APP显示，近日，合肥皖芯集成电路有限公司发生工商变更，新增建信金融资产投资有限公司、交银金融资产投资有限公司、工银投资旗下工融金投新兴产业股权投资基金合伙企业等为股东，注册资本由约5000万元增至约95.9亿元，同时多位高管发生变更。
浙江大学集成电路学院与芯启源、芯云晟建立合作伙伴关系
4月15日，浙江大学集成电路学院与芯启源电子科技有限公司、芯云晟电子科技有限公司签约
至讯创新完成A轮融资，官宣19nm NAND闪存芯片
据至讯创新官微消息，近日，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”）宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与，旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场扩张。
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约
6月27日，上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约仪式举行，在先进光子学和量子学及相关领域搭建研究合作桥梁。
SK海力士：将CIS事业部转为面向AI的存储器领域
3月6日，SK海力士表示，将结束图像传感器(CIS)事业部门，并将数百名相关人员统一转换为人工智能(AI)存储器领域。
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
英特尔澄清：Intel 18A制程产品将于今年下半年如期发布
据外媒报道，近日，英特尔投资者关系副总裁John Pitzer在公开澄清了关于基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake推迟发布的传闻。他表示，Panther Lake仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，且英特尔对于目前的进展非常有信心。
