台积电总裁魏哲家访ASML 引发联想外界猜测可能改变心意
台积电先前一再表示，艾司摩尔（ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。
高通宣布收购Sequans的4G物联网技术
据高通、Sequans官方消息，近日，高通（Qualcomm）与Sequans联合宣布，双方已达成最终协议，高通将收购Sequans的4G物联网技术。该交易须符合惯例成交条件，包括法国监管机构的批准。
格芯先进制程落后引发担忧，硅光子与功率芯片是方向
在半导体行业持续发力人工智能（AI）的背景下，格芯迟迟未进军7nm及以下先进制程引发业界担忧，怀疑其能否深度参与人工智能市场。台积电、三星、英特尔等纷纷进军先进制程工艺，而格芯自2018年8月起，宣布无限期搁置7nm以下技术研发。
威迈芯材年产100吨半导体高端光刻材料项目奠基
据合肥新站区消息，3月26日，威迈芯材（合肥）半导体有限公司年产100吨半导体高端光刻材料项目奠基仪式在新站高新区举行。
晶合集成三期项目实施主体增资至95.9亿
据天眼查APP显示，近日，合肥皖芯集成电路有限公司发生工商变更，新增建信金融资产投资有限公司、交银金融资产投资有限公司、工银投资旗下工融金投新兴产业股权投资基金合伙企业等为股东，注册资本由约5000万元增至约95.9亿元，同时多位高管发生变更。
KAIST与三星电子签订BCDMOS技术合作协议
据韩媒报道，7月23日，韩国科学技术院(KAIST) 与三星电子签订了130纳米双极 CMOS DMOS（BCDMOS）技术合作协议。
英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术
欧洲芯片制造商英飞凌表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求.
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
晶合集成业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产
据晶合集成官微消息，近期，晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS（CMOS图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅CIS进入发展新阶段。
美光宣布获得61亿美元CHIPS和科学法案资助
美光宣布已根据《CHIPS 和科学法案》签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，获美国政府拨款 61亿美元。
