三星电子芯片部门Q1遭创纪录亏损
韩国芯片制造巨头三星电子周四（4月27日）公布了 2023 年第一季度的完整财务报告，其芯片业务遭受了创纪录的亏损。不过三星电子却对未来市场状况持乐观态度，认为市场对存储组件的需求正在逐步改善
扬州市23亿产业母基金发布，聚焦集成电路、AI等领域
据消息，5月27日，2024扬州集成电路产业大会暨国金集团第七期基金招商项目推介会召开。会上，扬州市新一代信息技术（集成电路）产业母基金正式发布。
中韩半导体创新（昆山）基地揭牌
据消息，4月27日，位于巴城镇的中韩半导体创新（昆山）基地揭牌，5个项目签约入园，计划总投资1.1亿美元，加速打造百亿级现代化半导体特色专业创新园区。
汉源微与天工大联合实验室正式揭牌
据消息，日前，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。
英特尔德国晶圆厂量产时间或推迟至2030年
据媒体报道，英特尔此前在德国马格德堡投资300亿欧元（约合人民币2364.45亿元）的晶圆厂建设项目，原定于2023年下半年开工建设Fab 29.1和Fab 29.2两座工厂。但目前受诸多因素影响，近日有消息称开工时间再延后，意味着量产时间或将推迟至2030年。
工信部：持续推进集成电路、人工智能等关键技术研发创新和产业化发展
据央广网报道，10月24日，国新办举行新闻发布会，介绍2024年前三季度工业和信息化发展情况。
日富士电子斥资34亿在台扩厂提升半导体先进材料产能
近日，日本富士电子材料公司宣布，其将在中国台湾新竹新建一座先进半导体材料厂，以拓展其电子材料业务
SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产
据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。
沪电股份：AI芯片配套扩产项目将于明年下半年试产
沪电股份日前披露最新投资者关系活动记录表。沪电股份表示，其人工智能芯片配套高端印制电路板（PCB）扩产项目已于2025年6月下旬开工建设。
ASML称年内仍可向中国出口部分高端浸润式光刻系统
据中国日报消息，荷兰最新芯片出口管制措施今日生效，ASML已向荷兰政府提出TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统的出口许可证申请
5亿元常熟吴越天使基金发布，聚焦半导体材料和器件等新兴产业
常熟吴越天使基金发布，总规模5亿元，将围绕新能源材料和部件、自动驾驶和智慧座舱、半导体材料和器件等领域
拓达思电子年产1000万块集成电路控制主板智能制造项目签约
该项目计划总投资10亿元，主要建设内容包括SMT贴片、自动组装、芯片封装测试生产线，配套研发中心和检测中心，预计年产值6亿元以上，可解决约300人就业
600+精选展商已就位！半导体商机一触即发
SEMI-e深圳国际半导体展将于2023年5月16日-18日在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准
近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
高塔半导体Q1营收3.27亿美元超预期 2024全年业绩将有所改善
芯片制造商高塔半导体公布2024年第一季度利润和收入超出预期，并表示尽管经济低迷导致工业和汽车芯片需求疲软，但预计2024年全年业绩将有所改善。
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖
电科装备连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术，形成中束流、大束流、高能及第三代半导体等全系列离子注入机产品格局，实现了28纳米工艺制程全覆盖，切实保障国产芯片生产制造
SK海力士宣布量产业界最高238层4D NAND闪存
6月8日，SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证
