据消息，日前，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。
据悉，联合实验室旨在加强产学研深度融合，推动第三代半导体关键材料与工艺研发及测试。联合实验室所在科研中心固定资产投资近1.5亿元，可以完成以IGBT和MOSFET为代表的先进功率模组封装、关键封装材料及工艺开发与服务、测试与失效分析等。
面向未来，联合实验室将从加强技术攻关、推进成果转化、培养优秀人才三方面共同努力和协作，将联合实验室发展成为半导体封装材料领域的重要科研平台和创新高地，致力促进合作和跨学科研究，为实现先进功率模块封装材料与工艺技术的不断创新和产业化，共同推动先进半导体器件封装材料和工艺技术发展注入活力。
