英伟达计划5年内在台设立研发中心
据报道，6月4日，英伟达（NVIDIA）执行长黄仁勋表示，英伟达仍会持续在台湾地区扩大规模，有意在5年内设立研发中心，可能会在台北、台南、高雄三地择一落脚，并且将雇用上千位工程师，涵盖芯片、软体、系统、人工智能等领域。另外，也将与大学合作进行创新研究。
SK会长会见台积电魏哲家，探讨AI芯片合作
据报道，6月6日，SK集团会长崔泰源（Choi Tae-won）会见台积电新任董事长魏哲家，并决定进一步加强两家公司的合作，以增强AI半导体的竞争力。
安森美宣布收购CQD传感器技术公司SWIR Vision Systems
据消息，近日，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购，后者已成为安森美的全资子公司，其技术精湛的团队将并入安森美智能感知事业群，并继续在北卡罗来纳州运营。
摩尔斯微电子任命胡文杰为副总裁兼大中华区及东南亚地区经理
全球领先的无晶圆半导体公司、Wi-Fi HaLow技术创新者摩尔斯微电子（Morse Micro）荣幸地宣布，任命胡文杰(Blake Hu)为公司新任副总裁兼大中华区和东南亚地区总经理。胡文杰在无线和半导体行业销售、产品管理和领导方面 拥有十多年的丰富经验。
超高压碳化硅大功率芯片项目签约
据普州大地官微消息，日前，四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功签署合作协议，标志着双方在半导体领域迈出了重要的合作步伐。
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
美光科技将在下周获得超过60亿美元的芯片法案拨款
据消息，美国最大的计算机存储芯片制造商美光科技有望获得美国商务部超过60亿美元的拨款，用于本土建厂项目费用。
力积电日本晶圆厂或提前一年投产
力积电与SBI控股在日本宫城县将合建新厂，日前SBI控股会长北尾吉孝透露，有意将新厂生产时间提前1年。
诺思与博通达成全面和解及专利交叉许可
自诺思微系统官微获悉，7月3日，诺思发布声明称：诺思(天津)微系统有限责任公司与美国安华高科技股份有限公司（博通）已就双方全部争议达成和解。双方已撤回并终结针对对方或其关联公司及客户的诉讼，并就双方某些中国专利达成交叉许可
NAND或最高涨价20%！三星电子计划与客户重新谈判
据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。
华南站丨赋能工厂自动化产线升级，揭秘“智造”技术如何驱动产业变革
在现代工业生产中，提高生产效率和产品品质是每个企业的追求，无论是线性技术还是协作机器人等，只要选择合适的产线的自动化生产设备，都能帮助企业实现生产过程的优化和升级，促进生产效率和产品品质的不断提升，从而迈向工业自动化、智能化的时代，实现产业规模的快速增长
英特尔85亿美元《芯片法案》补贴将被推迟发放
据报道，白宫在2024年3月承诺给英特尔的《芯片法案》资金将推迟发放。报道称，英特尔必须达到在初步谈判中达成的预期，美国政府才会给予补贴。此外，它必须通过严格的尽职调查，以确保数十亿美元资金不会被浪费。
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
观众预登记开启！千家展商联名邀您共聚2023慕尼黑上海电子展
慕尼黑上海电子展将于2023年7月11-13日在国家会展中心（上海）举办
总投资10亿元，江苏建湖至纯泛半导体设备制造项目开工
3月30日，江苏省建湖县举行重大产业项目推进暨至纯泛半导体设备制造项目开工活动
重庆三安8英寸碳化硅衬底已投产
据消息，三安光电3月12日在投资者互动平台透露，重庆三安8英寸碳化硅衬底已投产，目前产能为500片/周。
东芝电子300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工
据消息，5月23日，东芝电子器件与存储株式会社（下简称“东芝”）宣布其300mm晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。目前将继续进行设备安装，计划在2024财年下半年开始大规模生产。
我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破
7月22日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU）。
