三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试 涉及发热和功耗问题
知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。
江丰电子产业集群项目落地临港
据上海临港官微消息，3月31日，临港新片区管委会与宁波江丰电子材料股份有限公司（以下简称“江丰电子”）签署投资协议，江丰电子拟在临港新片区投资建设同创先导半导体材料及装备产业集群，
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
康佳进军第三代半导体封测
近日，据盐城网消息，康佳芯云半导体科技(盐城)有限公司（下文简称“康佳芯云”）负责人在接受采访时表示，公司正在推动对第三代半导体相关产品的研发，并增加投资以拓展产品线。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
国家知识产权局：将修改完善集成电路布图设计保护条例
修改完善集成电路布图设计保护条例，适应大规模集成电路发展需要，助力芯片产业做大做强，服务数字经济更好发展
悉智科技首颗DCM封装8并SiC产品量产下线
据悉智科技官微消息，7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。
韩国2月半导体出口额下降 41.5%
3 月 14 日，韩国科技部今日公布了其 2 月份 ICT 出口统计数据。据悉，韩国 ICT（信息和通信技术）上个月出口额仅有 128.2 亿美元（备注：当前约 879.45 亿元人民币），同比下降 32.0%，这已经是 ICT 出口连续八个月持续下滑
“国家队”重磅官宣 1.5万亿半导体投资启航
6月7日，国家金融监管总局官网挂出同意国有六大行参与投资设立国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司的行政批复。国家金融监管总局指出，资金来源于银行资本金划拨，确保基金运行不偏离主业，实现推动集成电路产业高质量发展的政策目标。
投资至多20亿美元，安森美将在捷克建立先进SiC生产基地
据安森美（onsemi）官网消息，为满足电气化、人工智能所带来的对先进功率半导体的需求，安森美宣布计划在捷克共和国建立一个最先进的垂直集成碳化硅（SiC）制造工厂。
三星探索利用康宁玻璃开发封装中介层
据外媒报道，近日，三星电子收到材料供应商Chemtronics和设备制造商Philoptics关于开发玻璃中介板的合作提案。
胜宏科技拟投30亿元，用于固定资产及无形资产购置
胜宏科技5月13日发布公告称，为满足公司战略规划和经营发展的需要，2025年度公司及子公司拟使用合计不超过30亿元用于固定资产、无形资产购买，投资范围包括新厂房及工程建设、设备购置、自动化产线改造升级等投资事宜。
鸿海布局第四代化合物半导体
近日，鸿海研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
清溢光电拟募资12亿元投建高精度、高端半导体掩膜版基地
据消息，日前，清溢光电发布公告称，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。
芯碁微装直写光刻设备批量导入国内多家封测龙头
据芯碁微装官微消息，合肥芯碁微电子装备股份有限公司宣布，其面向中道领域的晶圆级及板级直写光刻设备系列已获得重大市场突破。
英特尔与新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
英特尔表示，IFS是英特尔IDM 2.0战略的关键支柱，与新思科技的合作无疑是实现IDM 2.0转型目标的重要里程碑，将有助于芯片设计公司充分利用Intel 3和Intel 18A制程节点的优势
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
