南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。
晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
燕东微拟募资40亿元用于北电集成12英寸产线项目
北京燕东微电子股份有限公司发布公告称，其向特定对象发行股票的申请已获得上海证券交易所审核通过。
绿通科技收购大摩半导体51%股权，进军半导体市场
绿通科技于6月2日宣布，计划以现金方式收购江苏大摩半导体科技有限公司不低于51%的股权，预计将实现对该公司的控股。
软银与英特尔合作研发新型AI内存芯片，电力消耗有望减半
软银与英特尔携手开发新型AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗，助力日本构建高效节能的AI基础设施。根据日经亚洲的报道，双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，预计将电力消耗减少约50%。
国产量子芯片设计软件“本源坤元”成功突破设计瓶颈
国产量子芯片设计软件“本源坤元”近日完成了其第五次技术迭代，成功突破了大规模量子芯片设计的技术瓶颈
北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算递表港交所，冲刺“RISC-V第一股”
5月30日，北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算正式递表港交所，拟冲刺“RISC-V第一股”，聚焦智能终端与具身智能场景。
中国科学院物理研究所发现超带隙透明导体
相关成果以“Hyper-gap transparent conductor”为题，发表在Nature Materials杂志。
台积电在美晶圆厂正接受工艺认证，预计年内量产英伟达芯片
据外媒报道，日前，英伟达CEO黄仁勋在公司2026财年第一财季财报电话会议上，提及其生态系统合作伙伴在美国的投资建设。
SK海力士计划10月量产12Hi HBM4内存
据韩媒报道，SK海力士计划今年10月开始正式量产HBM高带宽内存的最新迭代版本 12Hi HBM4，这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin" 架构AI GPU的需求。
陶氏公司任命黄映雪为大中华区总裁
陶氏公司（纽交所代码：DOW）宣布，陶氏包装与特种塑料大中华区资深销售总监黄映雪女士，于2025年6月1日起担任陶氏公司大中华区总裁。
AMD收购Enosemi，加码CPO共封装光学
据报道，当地时间5月28日，AMD宣布已完成对硅光子学初创企业Enosemi的收购。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
基本半导体拟募资用于产能扩张，赴港上市
日前，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）及中银国际担任联席保荐人，这也是中国碳化硅功率器件首家赴港提交上市申请的厂商。
日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术
据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。
