全球两大存储厂新动作
AI浪潮之下，高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术，受下游驱动，HBM市况正供不应求，产值持续攀升，存储原厂纷纷加强布局。
新宙邦半导体新材料项目开工 总投资20亿元
6月18日上午，总投资20亿元的新宙邦半导体新材料项目在南通开发区开工建设。该项目可年产12.5万吨的半导体新材料和20.5万吨锂电池电解液，达产后预计年产值将达25亿元。
一期9.5亿，杭州道铭微一期厂项目结顶
据消息，6月19日，杭州道铭微电子有限公司集成电路及功率器件系统集成封装新建一期厂项目举行结顶仪式。
Rapidus 2nm制程测试工厂将于2025年4月启动
据外媒报道，日本初创代工企业Rapidus的CEO 小池淳义（Atsuyoshi Koike）在受访时表示，Rapidus将于2025年4月开设其2nm测试工厂。
“Intel 3”3nm制程技术已开始量产
据外媒报道，英特尔周三表示，其名为“Intel 3”的3nm制程技术已在俄勒冈州和爱尔兰工厂开始大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。
imec首次展示CFET晶体管，将在0.7nm A7节点引入
自比利时微电子研究中心（imec）官网获悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技术与电路研讨会（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆叠底部和顶部源极/漏极触点的CMOS CFET器件。
投资至多20亿美元，安森美将在捷克建立先进SiC生产基地
据安森美（onsemi）官网消息，为满足电气化、人工智能所带来的对先进功率半导体的需求，安森美宣布计划在捷克共和国建立一个最先进的垂直集成碳化硅（SiC）制造工厂。
4nm→2nm，三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。
台积电获英特尔3nm CPU订单
据业内人士透露，台积电已经获得英特尔即将推出的笔记本电脑（PC）处理器系列的3nm芯片订单，晶圆生产已开始。
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目
近日，辰安科技子公司科大立安成功中标“安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目”。
英伟达将收购软件初创公司Shoreline
知情人士表示，英伟达已同意收购Shoreline.io，这是一家由前亚马逊AWS高管创立的面向软件开发者的初创公司。这笔交易于最近达成，对Shoreline的估值约为1亿美元。
三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术
三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。
南智光电晶圆级薄膜铌酸锂PDK正式发布
据消息，近日，由南智先进光电集成技术研究院有限公司（下简称“南智光电”）主导的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺开发包（Process Design Kit，简称PDK）1.0版正式发布。
年产36万片碳化硅晶圆！长飞先进武汉基地封顶
6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
三星做出重大决定，投资GPU
三星电子在其管理委员会内做出重大举措，决定投资图形处理单元（GPU）。虽然投资的具体细节尚未披露，但它与存储半导体和代工服务等通常占据讨论主导地位的典型议程主题不同，这一点引人注目
