4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足市场需求。”
公司技术团队在此次此新产品采用了先进（Advanced）MR-MUF*和TSV**技术。SK海力士表示，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。
SK海力士于2013年在世界上首次开发的HBM DRAM是实现需要高性能计算的生成式AI所必要的存储器半导体产品，因此在受到业界的高度关注。
最新规格的HBM3 DRAM被评价为能够快速处理庞大数据的首选产品，从而大型科技公司的需求也在逐渐扩大。
公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连开发出了超高速、高容量的HBM DRAM产品。将在今年上半年内完成新产品的量产准备，以巩固人工智能时代尖端DRAM市场的主导权”。
