先进封装技术之争 | 三霸统领五强跟随，中国队蓝海逐浪

主动有为踔厉前行共创封测产业新时代

2022年中国半导体封装测试技术与市场年会（第二十届，即CSPT2022）将于2022年11月14日-16日在江苏省南通国际会议中心盛大举办，领航先进封装技术方向，赋能产业协同创新发展。

先进封装拓展摩尔定律技术路线

随着5G、AI、物联网、大数据及智能制造等技术不断突破创新，业内对于体积更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小及成本更低的芯片需求大幅提高。

随着先进制程逐渐向原子尺寸逼近，短沟道效应和量子隧穿效应使晶体管的制造难度呈指数级增加。集成电路制程不仅成本整体提升，且在7nm、5nm、3nm制程的量产进度均落后于预期。先进封装技术登上历史舞台，拓展摩尔定律技术路线。

摩尔定律图源：wikipedia

先进封装是采用键合互联并利用封装基板来实现的封装技术，应用先进的设计思路和集成工艺，对芯片进行封装级重构，并能有效提升系统的高功能密度的封装，主要技术有：

以减少芯片整体尺寸降低芯片厚的倒装（FC，Flip chip）；
以小球形导电材料实现芯片与基板间电气互联的凸块（Bumping）；
以提高芯片有效面积的芯片尺寸封装（CSP）;
以减少制造环节和提高生产效率的晶圆级封装（WLP，Wafer level packaging，含扇入（Fan-In）/扇出（Fan-Out）；
以提高集成度及开发成本的系统级封装（SiP，System In a Package）；
以实现更精细的线路与空间利用的2.5D封装（interposer，RDL等）；
以提高电路拓展芯片规模和扩展电路功能的多芯片三维立体3D封装等。

先进封装依靠卓著的集成优势，为高端逻辑芯片、存储器、射频芯片、图像处理芯片、触控芯片等领域的实际应用带来便利，其主要优点有：

封装集成度高、封装体积小；
内部连接短，系统性能得到提升；
单位体积内集成更多功能单元，有效提升系统功能密度；
降低功耗，降低成本；
拓展摩尔定律技术路线。

异构集成的技术构建块图源：日月光

因此，利用先进封装技术，可以将不同尺寸、不同制程、不同材料的芯片集成异构封装，使其在一定的封装面积下获得更快高更性能。即使芯片制造工艺落后，只要掌握先进封装技术，依旧有机会使产品达到高工艺芯片程度，对中国芯片尤为重要，28、14纳米可与7、5纳米芯片同场竞技，解决无芯可用的燃眉之急。

随着半导体行业设计、生产、封测的产业链精细化分工，先进封装与前道后道工艺深度融合。前、后道的头部厂商凭借各自优势入局，成为先进封装行业的主力军，其中，前道主要有台积电、三星、英特尔，后道主要有长电科技、日月光、安靠等。

英特尔先进封装技术图源：英特尔

先进封装在2000年诞生之初只有WLP，2.5D封装和3D封装几种选择，近十年来，代工大厂、IDM厂商与顶级OSAT的鼎力投资竞争下，引领先进封装技术的创新迭代，开发出众多独立命名注册商标，如——

台积电的InFO、CoWoS；
英特尔Foveros；
日月光的FoCoS、FOWLP；
Amkor的SLIM、SWIFT；
三星X-Cube；
华天科技的eSiFO；
长电科技FO ECP、XDFOI；
AMD 3D Chiplet ；

这些武林各派的独门秘籍，虽然技术路线泾渭分明，但方向殊途同归——向着更小型、更高密度、更高集成、更高性能，以满足终端应用对芯片轻薄、低功耗、高性能的需求，同时大幅降低芯片成本。按照2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型，上述技术代表可细分：

2D封装包括FOWLP、FOPLP等技术。在FOWLP技术代表有例如台积电的InFO、日月光的eWLB、华天科技的eSiFO、长电科技的ECP等；
2.5D封装技术代表：包括英特尔的EMIB、台积电的CoWoS、三星的I-Cube等；
3D封装技术代表：台积电的SoIC技术、英特尔的Foveros技术、三星的X-Cube技术等；

各类FOWLP命名图源T：echSearch International

先进封装技术的发展前景极为广阔。根据调研机构 Yole 的数据，2020 年至 2026 年，先进封装市场复合年增长率约为 7.9%，几乎是传统封装市场预期增长率 (2.2%) 的三倍。以长电科技为例，先进封装的均价是传统封装均价的10倍以上，且倍数在持续加大。2021年的营收中，先进封装收入占比更是达到60%。

未来，先进封装技术在整个封装市场的占比将进一步提升。3D、扇形封装（FOLWLP/PLP）、微间距焊接技术、系统级封装（SIP）以更高级的互联技术将成为延续摩尔定律的重要途径。

本文将重点介绍国内先进封装技术及背后的驱动者为中国先进封装产业做出的贡献分析。

FO ECP

长电科技旗下子公司长电先进国内最早开始扇出封装技术FO ECP的研发，FO ECP采用芯片倒装贴到临时载板、塑封，塑封体背面再与硅片键合用来减小翘曲，解键合后，在芯片和模塑料重构表面进行布线和植球，最后塑封体背面的硅片减薄，硅片保留在封装体上。

FO ECP多芯片示意图图源：长电先进

FO ECP技术高度兼容于现有的晶圆级封装平台，既可实现单颗芯片扇出，亦可实现多种芯片集成扇出。与WLCSP相比，可大幅节省芯片面积，最大可节省芯片面积20%以上，较BGA、QFN及SOP等封装，FO ECP具有更小的封装尺寸和更薄的封装厚度。

长电先进在2015年着手FO ECP生产线建设，2016年成功量产，并持续导入新品。

eWLB

eWLB，是Fan-out封装技术的进一步升级，主要用于高端手机主处理器的封装，适用于高性能低功耗的芯片产品，是芯片封装向芯片端的延伸。

瞄准3D IC，长电科技推出了扩展eWLB。长电科技基于eWLB的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的TSV互连，同时还能实现高带宽的3D集成。

嵌入型晶圆级BGA封装（eWLB）

2.5D/3D封装来源：长电科技

eWLB技术作为第二代Fan-Out WLP技术具备更显著的性能、尺寸和成本效益，未来为长电科技营收增长做出更大的贡献。随着对新加坡厂整合的持续推进，公司eWLB产业线将带来丰厚的利润。

2015年8月，长电科技支付对价要约收购新加坡星科金朋全部股份。长电认为星科金朋的eWLB、SiP等全球领先的封测技术中，eWLB先进封装产能扩张及配套测试服务项目完全符合芯片封装的“高密度、高速率、高散热、低功耗、低成本”的要求。2018年长电科技募集1.98亿美元资金用于新加坡厂eWLB先进封装产能扩张及配套测试服务项目。

XDFOI

XDFOI 是长电科技2021年推出全系列极高密度扇出型封装解决方案，并与2022年下半年量产。该封装解决方案是新型无硅通孔晶圆级极高密度封装技术，相较于 2.5D 硅通孔 (TSV) 封装技术，具备更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性。该解决方案在线宽或线距可达到 2um 的同时，可实现多层布线层，另外，采用了极窄节距凸块互联技术，封装尺寸大，可集成多颗芯片、高带宽内存和无源器件。

XDFOI主要集中于对集成度和算力有较高要求的FPGA、CPU、GPU、AI和5G网络芯片等应用产品提供小芯片（Chiplet）和异质封装（HiP）的系统封装解决方案。

XDFOI 2.5D 技术特征图源：长电科技

目前，长电科技实现了先进封装技术全覆盖，拥有高集成度的晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、高性能倒装芯片封装和先进的引线键合技术装技术。无论是从技术全面性或先进性来说在国内均处于领先地位。

公司在新加坡、中国、韩国拥有三大研发中心以及六大集成电路成品生产基地。其中，长电科技通过收购星科金朋获得的 SiP 技术已可与日月光抗衡。收购ADI新加坡测试厂房将进一步提升长电科技的海外市场竞争力。

基于在先进封装上的提速破局和全面撒网，长电科技已成为全球第三、中国大陆第一的封测企业。2022年长电科技推动实施技术开发5年规划，面向5G/6G射频高密度系统的封装及系统级测试，超大规模高密度QFN封装，2.5D/3D Chiplet，高密度多叠加存储技术等八大类逾三十项先进技术开展前瞻性研发。

2022年7月22日，长电科技发文称，公司在先进封测技术领域又取得新的突破，实现4nm工艺制程手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。

4nm 芯片作为先进硅节点技术，也是导入 Chiplet 封装的一部分，是集成电路最顶尖技术之一。

eSIFO

eSiFO（embedded Silicon Fan-out），由华天昆山2015年开始扇出封装技术开发，2018年开发成功具有自主知识产权的埋入硅基板扇出型封装技术，并进入量产。

与使用模塑料塑封不同，eSiFO使用硅基板为载体，通过在硅基板上刻蚀凹槽，将芯片正面向上放置且固定于凹槽内，芯片表面和硅圆片表面构成了一个扇出面，在这个面上进行多层布线，并制作引出端焊球，最后切割，分离、封装。

eSiFO®示意图图源：华天科技

eSiFO技术具有领先优势：可以显著降低封装产品的翘曲度；实现产品的小型化；提高产品可靠性；可以降低成本和缩短工艺流程，更易于实现产业化和大尺寸芯片封装。该技术目前有三个主要应用领域，多芯片系统级封装，5G毫米波射频以及三维扇出堆叠。

eSinC

埋入集成系统级芯片eSinC（Embedded System in Chip）技术，是华天2019年推出的3D封装技术。

eSinC技术同样采用在硅基板上刻蚀形成凹槽，将不同芯片或元器件放入凹槽中，通过高密度RDL将芯片互连，形成扇出的I/O后制作via last TSV实现垂直互连。eSinC可以将不同功能、不同种类和不同尺寸的器件实现3D方向高密度集成。

eSinC示意图图源：华天科技

2021年，华天科技完成大尺寸eSiFO产品工艺开发，通过芯片级和板级可靠性认证。3D eSinC产品、MiniSDP、1主控+16层NAND堆叠的eSSD、基于176层3DNAND工艺的SSD、NAND和DRAM合封的MCP、MicroSD、硅基GaN封装产品等均实现量产。

2022年华天科技将开展2.5D Interpose FCBGA、FOFCBGA、3D FOSiP等先进封装技术以及基于TCB工艺的3D Memory封装技术，Double Sidemolding射频封装技术、车载激光雷达及车规级12英寸晶圆级封装等技术和产品的研发。

华天科技作为世界第六，国内第三的封装测试厂，深耕布局先进封装有关技术，在 WLP、TSV、Bumping、Fan-out、FC 等多个技术领域崭露头角。公司天水、西安、昆山、南京、Unisem等工厂覆盖各类封装技术与产品，并购马来西亚Unisem，打开海外广阔市场。

未来以先进封装测试为发展方向，通过持续开展先进封装技术的研发，提升公司创新能力和核心竞争力。

TF一站式封测平台

通富微电是全球第五、国内第二大芯片封测公司，公司总部位于江苏南通崇川区，拥有总部工厂、南通通富、南通通富通科、合肥通富、苏州通富超威、马来西亚通富超威（槟城）、厦门通富七大测试基地。

通富微电也是中国国内目前规模最大、产品品种最多的集成电路封装测试企业之一。具备齐全封装的类型，包含了框架类封装（SOT,SOP,QFN,DFN,LQFP,TO,IPM等）,基板类封装（WBBGA，WBLGA， FCBGA，FCCSP,FCLGA等）和圆片类封装（Fan-in WLCSP，Fan-out WLCSP, Cu pillar bump, Solder bump, Gold bump等）,以及COG，COF 和SIP等。已形成年封装测试集成电路35亿块生产能力，是国内目前唯一实现高端封装测试技术MCM，MEMS量化生产封装测试厂家。

图源：通富微电

通富微电面向境内外半导体企业提供IC封装测试服务，2015年收购AMD苏州和AMD槟城两个高端集成电路封测业务公司，通过并购通富微电实现了两厂先进的倒装芯片封测技术和公司原有技术互补。

2021年，在通富微电在高性能计算领域建成了国内顶级2.5D/3D封装平台（VISionS）及超大尺寸FCBGA研发平台，且完成了高层数再布线技术的开发；具备大规模生产Chiplet封装能力，目前在CPU、GPU、服务器领域5nm即将量产。Fanout技术已经达到世界先进水平，高密度扇出型封装平台完成6层RDL开发；BVR 技术实现通线并完成客户首批产品验证，2层芯片堆叠的CoW 技术完成技术验证。

先进存储器封装方面，通富微电完成用于高端服务器的三维堆叠存储器技术开发，实现多层堆叠的内存全流程存储功能测试；此外，完成用于高端手机的 LRDDR PoPt 封装开发，建立全套超薄存储器封装的翘曲控制解决方案。

通富微电目前先进封装收入占比超过70%。其发展目标，是要成为世界级的集成电路封测企业。在国家政策支持产业链的协同发展中，通富微电将不断向着国际级集成电路封测企业的目标迈进。

ETIM

ETIM™ (Edge Trench Interconnect Module) 技术是晶方科技开发的全球第一个针对指纹传感器开发的边缘沟槽互连模块技术。

图源：晶方科技

ETIM™ 的解决方案开启一个集成超薄指纹识别模块的时代。技术方案包括晶圆级互连方法，先进的模块制造等众多先进的传感器封装相关的技术。ETIM允许原始设备制造商（OEM）和传感器模块制造商一个的创造比以往更薄和更先进的移动电子产品。曾经为苹果iPhone5s/6指纹识别芯片提供先进封装业，这一令人兴奋的新技术符合JEDEC1级潮湿敏感度的要求，适用于汽车和其他需要更高水平可靠性的器件市场领域。

CMOS影像传感器晶圆级封装技术

晶方科技的CMOS影像传感器晶圆级封装技术，彻底改变了封装的世界，使高性能、小型化的手机相机模块成为可能。这一价值已经使之成为有史以来应用最广泛的封装技术，已有近50％的影像传感器芯片可使用此技术，大量应用于智能电话，平板电脑，可穿戴电子等各类电子产品。

晶方科技公司名称英文缩写“WLCSP”。事实上，这个英文缩写是晶圆片级芯片规模封装（Wafer Level Chip Scale Packaging）的简称，这个缩写代表了晶方科技一直以来对晶圆级封装技术的不懈追求。

TSV 图源：晶方科技

晶方科技聚焦传感器领域的封装测试业务。晶圆级先进封装技术、传感器微型化方案的技术、光电一体化集成技术和异质结构系统化封装技术组成公司的四大核心技术。同时具备 8 英寸、12 英寸晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产封装线，涵盖晶圆级到芯片级的一站式综合封装服务能力，为全球晶圆级芯片尺寸封装服务的主要提供者与技术引领者。拥有一站式的光学器件设计与研发，完整的晶圆级光学微型器件核心制造能力。

晶方科技通过并购投资拓展优势。通过收购晶方产业基金股权，实现对晶方光电及荷兰Anteryon的股权控制；推进Anteryon公司的光学设计与混合光学镜头业务的稳步增长；参与投资以色列VisIC公司，积极布局车用高功率氮化镓技术。

2021年以来，公司加大在晶圆级TSV封装技术、Fan-out晶圆级技术、SIP系统级封装技术的研发与创新，先后开发完善了基于异质结构的晶圆级封装技术、MEMS晶圆三维封装技术、生物医疗影像芯片晶圆级封装技术、物联网ToF影像模组技术、5G声表面波滤波器晶圆级封装技术，IBGA封装技术等业界领先的集成电路封装技术，同时整合开发了晶圆级微镜头阵列(WLO)生产技术，并在国内率先实现量产。

驱动芯片COF/COG/COP封装方案

结合显示面板的技术和应用，专注于高端先进封装测试的颀中科技，为显示驱动芯片提供COF/COG/COP封装方案。公司具备行业领先的全方位的显示封装技术，可以为客户提供12um超细间距Super Fine Pitch COF、双面铜2-Metal COF、多芯片Multi-Chip COF、125mm大版面COF及多种散热解决方案。

图源：颀中科技

颀中科技是中国境内最早专业从事8英寸及12英寸显示驱动芯片先进封测并可提供全制程封测服务的企业之一，为客户提供全方位一站式先进封测的解决方案。公司在以凸块制造（Bumping）和覆晶封装（FC）为核心的先进封装技术上积累了丰富经验，形成了以显示驱动芯片封测业务为主，电源管理芯片、射频前端芯片等非显示类芯片封测业务的格局。

最近连续三年，颀中科技显示驱动芯片封测收入及封装芯片的出货量均位列中国大陆第一、全球第三。其中显示驱动芯片封测占营业收入的90%以上。这样的业绩得益于为大环境给力，当前显示驱动芯片封测供应链也正在从韩国、中国台湾，到中国大陆的顺序转移。

2022年5月，颀中科技科创板IPO获受理，拟豪募20亿大扩产，主要包括“颀中先进封装测试生产基地项目”、“颀中科技（苏州）有限公司高密度微尺寸凸块封装及测试技术改造项目”、“颀中先进封装测试生产基地二期封测研发中心项目”，分别指向12英寸全制程显示封测、高密度微尺寸凸块以及AMOLED、Mini LED、Micro LED、AR/VR等新型显示封测技术的研发。

2022年8月，投资10.6亿颀中先进封装测试生产基地项目在合肥市新站综合保税区内动土开工，将从事晶圆凸块封装测试相关业务。

高端存储芯片封装方案

在高端存储芯片 (DRAM、NAND FLASH) 封装和测试服务上，沛顿科技一直是先行者。目前成为国内唯一具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业，具备动态存储颗粒DDR5、DDR4、DDR3以及LPDDR5、LPDDR4、LPDDR3和固态硬盘SSD的封装测试量产能力。

图源：沛顿科技

深圳沛顿作为在国内的运营总部及华南生产基地，负责全面运营管理。合肥沛顿存储作为沛顿科技在华东地区的运营基地，将配合国内主要客户，提供封装测试、模组组装一条龙服务模式。近年来，沛顿科技主要完成了POPt先进封装技术和FlipChip先进封装技术的研发。

2022年，沛顿公司持续拓展memory芯片封测市场客户，保持在memory存储领先地位；同时拓展一定规模的logic芯片封测业务。持续推进先进封装技术的研发量产，包括bumping技术，FCBGA技术，SSD 32D堆叠技术等。

面板级扇出封装方案

华润微电子面板级封装最新工艺大幅提升产品良率和可靠性，相关产品已通过AEC-Q100验证。公司开发的面板级扇出封装技术，采用载板级RDL加工方案，是Chiplet封装的基础工艺，不但可以实现低成本interposer的加工，也可以完成HI系统级封装的最终整合。有效解决了Chiplet封装成本高昂的问题，更适用于功率类半导体封装异构集成化。

图源：华润微垫子

华润微是以IDM模式为主运营的半导体企业，目前国内极少数拥有全产业链能力的芯片公司。在封测业务方向，华润微主要为国内外无芯片制造工厂的半导体公司提供各种封装测试代工业务，其产品广泛应用于消费电子、家电，通信电子、工业控制、汽车电子等领域。主要业务种类有半导体晶圆测试（CP），传统IC封装，功率器件封装(FLIPCHIP工艺)，大功率模块封装（IPM），先进面板封装(PLP)，硅麦、光耦传感器封装，成品测试等TURNKEY业务。

功率半导体行业的发展，封装技术在功率半导体产业链中重要性日益显现，2020年，华润微拟募资50亿投建功率半导体封测基地，加大封测环节在集成电路产业链的位置。

甬矽电子中高端封装

甬矽电子是先进封装的后起之秀，专注于集成电路的封装和测试业务。通过实施晶圆凸点产业化项目布局“扇入型封装”（Fan-in）、“扇出型封装”（Fan-out）、2.5D、3D等晶圆级和系统级封装应用领域，为拓展异构封装领域打下基础目前。封装产品主要包括高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP）、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、微机电系统传感器（MEMS）四大类别。

甬矽电子仅成立四年，业绩上就高歌猛进。或源于其技术和业务与老东家长电有撇不清的前缘，长电科技向监管部门举报其侵犯商业秘密。2022年8月，向长电科技支付2500万元终达成全面和解。

甬矽电子高端IC封测项目一期1厂，目前年产能已达20亿颗，年销售额人民币10亿元。一期2厂将达到年产能40亿颗，年销售额达人民币25亿元。一期项目获得良好发展的基础上，甬矽电子提出了二期项目建设即甬矽半导体项目。

2022年9月，甬矽电子电路IC封装测试二期项目完成签约，总投资111亿元，达产后具备年销售额80亿元的生产能力，其生产主要以我国市场占有率极低的先进封装为主，技术涉及 Fan-in、Fan-out、晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D 先进封装、POP、TSV（硅穿孔），技术能力将达到世界先进水平。

9月27日，甬矽电子注册生效，全力冲刺IPO之际，甬矽电子计划募资15亿元，其中，11亿元用于高密度SiP射频模块封测项目，4亿元用于集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目。

初生牛犊不怕虎的甬矽电子，已发下重誓——让中国的高端封测从跟随走向引领，为公司成为国内乃至全球封装行业内“最具竞争力的高端IC封装&测试企业”而不懈奋斗！

中国先进封装技术小结

综上，以长电科技、通富微电、华天科技为代表的封测企业推动着国内先进封装技术的创新，使我国的先进封装技术已达到国际领先水平，一方面推动Bumping、Flip-chip、TSV、3D/2.5D封装技术产业成熟，另一方面扩展BGA、PGA、WLP、CSP、MCM和SiP等高端先进封装形式的产能规模。

在2021年的时候，长电科技、通富微电、华天科技均已宣告自己具备5nm的芯片封测能力。而下一步将向4nm、3nm节点推进，这无疑为处在风口浪尖的中国芯制造了喘息的机会。

虽然国内目前在先进制程技术上与Intel、TSMC、Samsung等厂商存在一定差距，但是异军突起的Chiplet方案为国内芯片制造业提供了弯道超车机会。国内企业通富微电、长电科技、华天科技积极布局Chiplet封装技术，正与国际大厂同场竞争。同时，不可忽略在顶级封测技术上，我国还需攻关核心技术，需要通过技术突破在高端产品市场中抢占一席之地。

CoWoS封装技术路线图图源：台积电

回到国内，先进封装技术创新由三巨头持续引领。比如长电科技在SiP封装、2.5D、3D封装的研制实力不容小觑，华天科技则在WLCSP、TSV、Bumping、Fan-out、FC等多个技术不断加大研发投入与产出，通富微电则拥有Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP等先进封测技术，并在2D、2.5D封装技术研发上取得突破。

对追赶者和入局者，如传统封装转型先进封装的企业、以及大型企业半路杀出做先进封装业务，若不能及时提升自主创新能力和封测技术，市场份额很有可能被长电科技等巨头企业吞噬。

中国先进封装产业简析

长电科技CEO郑力在2021 第十九届中国半导体封装测试技术与市场年会（CSPT 2021）上发布《中国半导体封测产业现状与展望报告》，揭露了中国半导体封测产业的发展主要面临三大难题：

关键设备依赖进口，设备交付周期长，影响扩充产能；
客户会指定主要原材料，造成主材料更换比较困难，而高端的产品封装都被海外垄断；
产品开发需要客户来进行验证，但验证周期长；
部分原材料国产纯度无法满足（如高精度铜合金带），但进口材料周期长、甚至有不被接单的风险；
材料成本上升，不利于企业进一步做大做强；
研发、工艺人才缺口大。

为解决以上瓶颈，中国半导体封测产业也有相应的发展策略。郑力建议：中国集成电路产业需要提升整体性能和产业附加值；国家需要支持产业链协同创新，鼓励产业链相关验证并使用国产设备和材料，避免同业恶性竞争；加大扶持力度，制定有利于半导体行业发展的环境和土地使用政策，提供优惠的融资支持，出台技术创新鼓励政策。应多关注人才的吸引和培养，制定并落实集成电路和软件人才引进和培训年度计划，加强校企合作开展集成电路人才培养专项资源库建设，推动国家集成电路和软件人才国际培训基地建设。

2021年中国OSAT市场图源：Yole

中国国半导体行业协会封装分会轮值理事长肖胜利认为，国内封装测试企业应秉持合作大于竞争的理念，加大对国产设备、材料的研发和投入，逐步完善试验平台。还要进一步增强技术创新能力，加大人才培养力度，并实现上下游产品的互动联合，以此在日新月异的市场竞争中取得更大进步。

如今中国封装测试行业面临前所未有的发展前景。国家产业政策的大力支持，为推动我国集成电路封装测试行业快速、健康、有序发展奠定了坚实的基础，我们相信二十大以后将有更大动作落地；中国大陆芯片设计公司的逐渐成熟将为本土封测厂商提供更多合作机会，增强封测厂商的竞争力；全球晶圆扩产，持续上涨的封测价格为企业带来了较高的毛利。

国内晶圆厂产能扩张，带动后道封测需求持续增长。根据 JW Insights 数据，预计中国大陆 2022 年-2026 年将新增 25 座 12 英寸晶圆厂，晶圆厂总规划月产能将超过160 万片。中国封测行业在集成电路国际市场分工中竞争力较强，市场份额预计将持续提升。受益于大陆晶圆厂扩产，作为晶圆制造产业链的下游环节，集成电路封测行业市场需求有望持续增长。

超越摩尔定律，中国先进封装大有可为！

下期预告

2021年年报发布会上，华为轮值董事长郭平首次公开确认芯片堆叠技术，可以让14nm芯片经过优化后比肩7nm性能。进入被断供的第四年，华为正默默寻求绕开美国技术专利的自主创新突破路线。

跳出墙，国内先进封装与Intel、TSMC、Samsung等厂商存在哪些技术上的差异？全球代工大厂、IDM厂商与顶级OSAT为这些先进封装技术实施了怎样的研发和迭代。在巨头统一Chiplet技术标准化后，中国先进封装技术该走向何方？敬请期待下一篇文章：