中国台湾中山大学成功突破6吋碳化硅晶体生长
近日,中国台湾中山大学晶体研究中心成功生长6吋导电型(n-type)4H碳化硅单晶,中心厚度为19mm,边缘约为14mm,生长速度达到370um/hr,晶体生长速度更快且具重复性,标示着中国台湾地区第三类半导体碳化硅向前推进的进程。
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2023年03月07日