佰维存储先进封装产能布局再进一步。
9月22日晚间，深圳佰维存储科技股份有限公司发布公告称，公司及控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司拟与东莞松山湖高新技术产业开发区管理委员会签订项目合作协议，计划建设晶圆级先进封测制造项目三期。
根据公告，三期项目预计总投资约45亿元，其中固定资产投资约40亿元。项目位于东莞市生态园，将依托现有工业用地进行增资扩建，不涉及新增用地，主要用于晶圆级先进封测产能扩充，建设内容包括设备投资、厂房装修等。
按照规划，项目计划于2029年12月31日前完成固定资产投资。项目资金将由广东芯成汉奇通过自有及自筹资金解决，资金来源包括第三方增资款、银行贷款等，不涉及募集资金。
一期、二期已投30.9亿元，2.5D月产能约3000片
此次三期项目并非佰维存储首次加码晶圆级先进封测。
目前，公司晶圆级先进封测制造项目一期、二期计划投资合计约30.9亿元，相关项目已完成投资，对应2.5D月产能约3000片。
其中，一期项目已完成厂房建设以及设备安装调试；二期项目设备正在陆续进场并开展安装调试，目前处于客户送样、工艺验证及小批量试产阶段，尚未正式形成量产收益。
在现有项目基础上，三期项目进一步扩充产能，意味着佰维存储将继续加大对晶圆级先进封测业务的投入。
从项目推进节奏来看，公司目前仍处于先进封测产能建设和客户导入阶段，后续产能释放及量产进展将成为项目投资回报的重要观察点。
覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等先进封装技术
在技术布局方面，广东芯成汉奇目前已形成覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先进封装技术的产品和工艺能力。
相比传统封装，晶圆级先进封装能够通过晶圆级工艺实现芯片互连与封装，在提升集成度、缩小封装尺寸以及改善芯片间互连等方面具有应用价值。
佰维存储表示，三期项目将在现有项目基础上进一步扩充晶圆级先进封测能力，并推动多芯片系统集成封装及存算合封技术的产业化和规模量产。
这意味着，项目后续建设重点不仅在于增加现有先进封测产能，也将进一步向多芯片集成及存算融合等方向延伸。
先进封装需求增长，存储厂商加速布局
近年来，随着AI算力、高性能计算以及高带宽存储等应用快速发展，芯片系统对高密度集成、高速互连以及先进封装技术的需求持续提升。
尤其是在AI服务器等高算力应用中，单颗芯片性能提升之外，多芯片集成、芯片间高速互连以及存储与计算之间的数据传输效率，也成为影响系统性能的重要因素。
在这一产业趋势下，先进封装逐渐从传统封装测试环节的重要技术路线，向高性能计算、AI、存储等应用场景进一步延伸。
对于佰维存储而言，此次规划建设三期项目，是其持续扩充晶圆级先进封测能力的重要一步。随着一期、二期项目陆续推进以及三期项目落地，公司在2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等先进封装领域的产能和技术布局有望进一步扩大。
不过，目前一期、二期项目仍处于产能建设、客户送样及工艺验证等阶段，三期项目也尚处于合作协议推进及后续建设规划阶段，具体产能释放及项目效益仍取决于后续建设进度、客户导入及市场需求等因素。
从30.9亿元的一、二期项目，到此次45亿元的三期规划，佰维存储正在持续加码晶圆级先进封测。随着先进封装向多芯片集成、存算融合等方向演进，其后续产能建设和产业化进展值得关注。
