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课程1：《算力芯片的先进封装技术》
讲师：于大全 博士
厦门云天半导体科技有限公司 创始人、厦门大学 特聘教授
课程概要：1. AI 驱动算力芯片快速发展 2. 算力芯片的先进封装需求 • 算力芯片的先进封装发展 1) 硅通孔中介层封装技术 2) 有机中介层封装技术 3) 基于桥连封装技术 4) 玻璃中介层与玻璃基板技术 5) 光电合封技术 6) 高性能散热技术 3. 算力芯片的先进封装发展趋势与挑战 4. 总结。
讲师简介：2004年就读于大连理工大学，获工学博士学位。曾在香港城市大学、德国弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所、新加坡微电子所等国际知名研究机构开展研究工作；2010—2015年担任中国科学院微电子研究所研究员；2014—2019年担任天水华天科技股份有限公司封装技术研究院院长。2019年担任云天半导体董事长、厦门大学特聘教授。 担任国家科技重大专项02专项总体组特聘专家，中国半导体行业协会MEMS分会副理事长，全国半导体器件标准化技术委员会委员，IEEE高级会员。先后入选中科院“百人计划”、厦门市和福建省“百人计划”等人才。主持多个国家科技重大专项02专项、课题，发表学术论文200余篇，授权国家发明专利70多项，荣获2020年国家科技进步一等奖。
课程2：《无铅焊点的性能和可靠性》
国际电气电子工程师协会 封装分会当选主席、奥本大学教授、ASME Fellow
课程概要：本课程将全面介绍用于电子组装与封装中无铅焊料材料机械行为与可靠性分析的实验表征与建模方法。课程重点在于将相关内容应用于实际半导体封装工程实践，并结合来自汽车、航空航天及计算机行业的多个案例分析。主要内容包括：焊料的成分与微观结构、机械性能表征方法、无铅焊料的实验应力-应变与蠕变测试数据、材料性能、各类本构模型（弹性、塑性、蠕变、黏塑性）、单晶焊点的机械响应及相关建模方法、循环应力-应变行为与疲劳规律、微观结构演化与老化效应、各类元器件的热循环可靠性测试数据、循环载荷下的损伤积累，以及用于焊点可靠性分析的有限元建模方法。课程还将介绍多项最新进展，包括低温焊接和先进封装中的微凸点技术。详细课程内容见下方大纲。
1.电子封装用焊料简介 a.成分和微观结构 b.锡铅合金、SAC 合金、SAC+X 合金、锡铋合金、锡银合金等 c.低温焊料 (LTS) 和 SAC-LTS 混合焊料组件 2.焊料机械行为的实验测试方法 a.单轴和剪切力学测试（应力-应变、蠕变） b.纳米压痕测试和小焊点测试 3.无铅焊料机械行为（块状焊料） a.单轴和剪切应力-应变行为 i.重要无铅焊料的文献数据 ii.材料特性（模量、泊松比、屈服应力、UTS） iii.经验模型、温度和速率依赖性 b.蠕变行为 i.重要无铅焊料的文献数据焊料 ii. 材料特性（蠕变速率） iii. 经验蠕变速率模型、应力和温度相关性 c. 本构模型。
讲师简介：Jeffrey C. Suhling于1985年获得威斯康星大学工程力学博士学位。随后，他加入奥本大学机械工程系，目前担任该系奎纳杰出教授及系主任。 在担任系主任之前，他曾担任美国国家科学基金会先进汽车电子中心（CAVE）的主任。他的研究方向为电子封装的力学、可靠性与材料科学，重点涉及应力传感器与测试芯片、材料表征与本构建模、可靠性测试与建模。 Suhling博士在电子封装领域发表了600余篇技术论文，谷歌学术引用超过14,000次，H指数为61，已指导奥本大学100余名研究生。他是ASME会士、IEEE高级会员。在ASME，Suhling博士曾任电子与电气封装分会（EPPD）执行委员会委员（1998-2003），2003年任分会主席，并担任InterPACK’07会议项目主席、InterPACK’09大会主席，2014-2019年任ASME《电子封装杂志》副主编，2009年获EPPD工程力学研究奖。在IEEE，Suhling博士30年来一直活跃于电子封装学会（EPS），自2003年起担任ECTC项目委员会（应用可靠性）成员，自2007年起任ECTC专业发展课程委员会联合主席，曾任EPS理事会成员（2014-2016）、会员服务总监（2016-2018）、教育副主席（2019-2022）、财务副主席（2023-2024），2025年将任候任主席。Suhling博士还担任过ITherm 2018年会项目主席和2019年会大会主席，2024年获EPS William Chen杰出服务奖。
课程3：《微电子封装断裂与分层分析》
讲师：Andrew Tay 教授
新加坡国立大学 教授、IEEE Fellow
课程概要：断裂与分层是影响微电子封装可靠性的两种最常见且长期存在的问题。本课程的主要目标是帮助学员系统理解断裂力学方法在微电子封装中预测断裂和分层的原理，并掌握相关验证技术。课程将详细介绍并分析爆米花裂纹失效的机理，讲解封装可靠性认证和回流焊过程中热传导与湿气扩散的仿真方法。内容还包括界面断裂力学的基础知识，以及一些断裂力学参数数值计算方法的介绍。课程还将讲解用于预测封装分层的实验验证方法，并结合实际案例分析。
1. 材料的力学性能与失效 2. 微电子封装中的湿热应力 3. 有限元分析与应力奇异性 4. 断裂力学方法论基础 5. 断裂力学参数的确定 6. 断裂韧性的测量 7. 断裂力学方法论的实验验证 8. 微电子封装分层失效的案例研究 9. 分层失效的内聚力模型及案例研究。
讲师简介：Andrew Tay博士现任新加坡国立大学（NUS）电气与计算机工程系客座教授，同时担任新加坡国立大学混合集成新一代微电子中心（SHINE）的访问学者。在此之前，他曾任NUS机械工程系教授。他于澳大利亚新南威尔士大学获得机械工程学士学位（一等荣誉及校长奖章）和博士学位。
他的研究方向包括电子封装（热-机械失效、分层、湿气影响、焊点可靠性）、电子系统与电动汽车电池的热管理、红外与热反射测温技术、太阳能光伏可靠性以及断裂力学。
目前，他是IEEE电子封装学会（EPS）理事会成员、EPS分会项目总监及EPS杰出讲师。他曾任1997年首届电子封装技术会议（EPTC）大会主席，并现任EPTC理事会主席。他曾荣获2019年IEEE EPS David Feldman杰出贡献奖、2012年IEEE CPMT卓越技术成就奖和2012年IEEE CPMT区域贡献奖。因其在工程力学在电子和/或光电子封装领域的杰出应用，于2004年获得ASME EPPD工程力学奖，并于2000年获得IEEE第三千禧年奖章。他是ASME会士及IEEE终身会士。
课程4：《异构集成封装与基板的MEOL设计与工艺考量》
讲师：Gu-Sung Kim 教授
韩国江南大学 教授
课程概要：异构集成是一项划时代的新技术，通过整合分别制造的不同器件，实现更高层次的封装和整体功能的提升。本课程将围绕“什么是半导体中道工艺及相关技术”进行讲解，从ITRS最后一版提到的组装技术出发，结合IEEE EPS HIR中的异构集成技术，串联‘超越摩尔’到‘系统摩尔’的演进路径。同时，还将介绍半导体封装、硅中介层及基板在电学、机械和热学仿真等耦合协同设计中的关键概念与考虑要点。本报告对希望轻松理解众多半导体技术与术语的听众，以及希望深入了解异构集成系统、Chiplet、HBM及中介层所需的中道工艺以及精细线路基板工艺和设计的工程师，都将具有很高的参考价值。
讲师简介：Gu-Sung Kim目前是韩国江南大学的教职人员，同时也是电子封装研究中心（EPRC）的创始人。他在半导体封装领域的研发工作已有35年的经验。在进入学术和研究岗位之前，金博士曾在三星电子存储事业部担任3D IC/TSV/WLP项目负责人长达17年。作为3D IC、TSV和中介层领域的发明人，他在韩国和美国共拥有130余项相关专利。他出版了两本半导体封装手册，并以主讲人身份发表过250余场演讲和报告。金博士曾多次获得韩国政府、学会、三星、韩国半导体产业协会（KSIA）、SEMI以及Alfred Marquis终身成就奖等多项荣誉。
金博士于美国纽约州特洛伊市伦斯勒理工学院（Rensselaer Polytechnic Institute）获得材料工程博士学位，并于韩国首尔延世大学（Yonsei University）获得陶瓷工程学士学位。
目前，他担任IEEE电子封装学会（EPS）前理事会成员（BoG）、IEEE EPS韩国理事会（EP21, www.ieee-epskorea.org）主席、韩国半导体显示技术学会（KSDT）副主席、EPRC副主席、韩国微电子与封装学会（KMEPS）技术总监。同时，他还是Electro-PackageMission Society（www.epcross.org）理事会主席、韩国产业技术保安院技术委员会委员、SEMI STS及Semiconductor Korea Symposium技术委员会成员。
课程5：《用于小芯片和异构集成的先进基板》
讲师：刘汉诚 博士
中国台湾欣兴电子股份有限公司 科学家、IEEE Fellow
课程概要：目前，由AI（人工智能）驱动的高性能计算（HPC）所用的大多数封装基板，主要采用2.5D IC集成技术。通常情况下，对于2.5D或CoWoS（chip on wafer on substrate）封装，系统级芯片（SoC）和高带宽存储器（HBM）通过TSV中介层（TSV-interposer）连接，再通过焊球和底部填充（underfill）安装在叠层封装基板上。然而，随着TSV中介层尺寸的不断增大，其制造良率损失问题日益严重，已难以承受。NVIDIA、AMD、英特尔、SK海力士、三星、美光、台积电等行业主要企业正积极努力，试图消除TSV中介层，将HBM直接堆叠在SoC之上（即3.3D IC集成）。部分芯粒在前端集成（封装前异构集成）还可以实现更小的封装尺寸和更优的性能（即3.5D IC集成）。
过去几年，2.3D IC集成或CoWoS-R技术也获得了广泛关注。其主要目标是用扇出型精细金属线宽/线距（L/S）重布线层（RDL）基板（或有机中介层）取代TSV中介层。一般而言，2.3D的封装基板结构（混合基板）包括叠层封装基板、带底部填充的焊点以及有机中介层。目前，2.3D技术已实现量产。近期，台积电发表了两篇论文，介绍用LSI（局部硅互连，即硅桥）取代大尺寸TSV中介层，并将LSI嵌入扇出型RDL基板中的方法，台积电称之为CoWoS-L。
另外，自从英特尔宣布将在2030年前推出一万亿晶体管芯片，并采用玻璃核心基板后，玻璃核心基板成为业界热点话题。随着英特尔和博通的CPO（共封装光学）产品出货量的增加，CPO也受到广泛关注。
本讲座将介绍并探讨3.5D IC集成、3.3D IC集成、3D IC集成、2.5D IC集成、2.3D IC集成、2.1D IC集成、2D IC集成、扇出型RDL、嵌入式硅桥、CoWoS-R、CoWoS-L、CPO以及玻璃核心基板等在AI驱动的高性能计算中的最新进展和发展趋势，并提出相关建议。
课程大纲：
引言
基板定义
面向Chiplet和异构集成的基板
2D IC集成
2.1D IC集成
2.3D IC集成
2.5D IC集成
3D IC集成
3.3D IC集成
3.5D IC集成
嵌入于叠层基板中的桥接结构
嵌入于带有RDL的扇出型EMC中的桥接结构
玻璃核心叠层基板与TGV中介层
CPO基板
总结与建议
讲师简介：刘汉城在半导体封装领域拥有40余年研发和制造经验，已发表超过535篇经同行评审的论文（其中385篇为第一作者），拥有52项已授权及申请中的美国专利（其中31项为第一发明人），并出版了24本专著。John是IEEE会士、IMAPS会士和ASME会士，并长期积极参与产业界、学术界及行业协会的各类会议，以贡献力量、学习交流和经验分享。
课程6：《MEMS封装及其先进应用》
讲师：田中秀治 教授
日本东北大学 教授、IEEE Fellow
课程概要：本讲座概述了MEMS、声波滤波器及相关器件的封装技术。封装通常分为两个层级：（1）晶圆级封装和（2）塑封。
晶圆级封装是在晶圆上直接对器件进行封装，采用晶圆键合、薄膜沉积等工艺。该过程通常可以实现器件的气密封装，有时甚至可达到真空封装。器件与外部的电连接通过侧向通孔或贯穿孔（vias）实现。讲座将介绍晶圆级封装的历史与现代方法，并讲解晶圆键合、电连接通道及气密性评估等关键技术。
在晶圆级封装之后，第二层级的封装为塑封工艺，包括晶圆切割、芯片贴装、引线键合、塑封及最终切割等流程。对于高频器件，倒装芯片键合（flip-chip bonding）逐渐替代了芯片贴装和引线键合。讲座将逐步介绍每一道工序，并探讨第二层级封装中遇到的问题。
最后，讲座还将把这些传统封装方法与AI半导体中正在兴起的先进封装技术进行关联。内容以实际应用为出发点进行讲解。
课程大纲：
封装的目的与概要
各类晶圆级封装方法
晶圆键合
电连接通道
气密性测试
第二层级封装方法
晶圆切割
芯片贴装、引线键合与倒装芯片键合
塑封
先进封装技术
讲师简介：田中秀治（Shuji Tanaka）分别于1994年、1996年和1999年在东京大学获得机械工程学士、硕士和博士学位。1999年起在东北大学机电与精密工程系任助理研究员，随后担任助理教授至2003年，后在纳米力学系任副教授至2013年。目前，他是东北大学机器人与微系统集成中心教授。此外，曾于2004至2006年担任日本科学技术振兴机构（JST）研究开发战略中心研究员，2006至2018年为特聘研究员。
他在多个国际会议中担任重要职务，包括IEEE NEMS 2016大会主席、IEEE MEMS 2022大会联合主席、Transducers 2023执行主席，以及自2019年起连续担任MEMS工程师论坛大会主席。此外，他还是日本机械工程师学会（JSME）微纳科学技术分会主席和IEEE超声、铁电与频率控制学会（UFFC-S）管理委员会成员。因其持续的学术贡献，田中修治被授予IEEE Fellow及JSME Fellow荣誉称号。
田中秀治的研究兴趣涵盖MEMS、声波器件、晶圆级封装与集成、压电器件及材料等多个领域。
课程7：《先进封装技术的创新》
讲师：葛维沪 博士
美国Pacrim 技术公司 创始人、IEEE Fellow
课程概要：随着半导体制程节点逐渐逼近极限，过去十年间先进IC封装技术发展迅速。“超越摩尔（More than Moore）”的解决方案对2.5D和3D等高复杂度封装的设计、材料、互连与制造提出了巨大创新需求。中国正在积极建设庞大的后端组装与测试产业，为成为世界领先者，还需要更多新思路和创新。
本课程将回顾并探讨近期封装领域的创新，以激发工程师和科学家的灵感，推动HPC、5G、AI及汽车等异构集成封装的设计与制造不断进步。
课程范围和大纲将涵盖如下技术在设计、材料与工艺方面的创新：
基于载板的2.5D中介层技术：CoWoS、CoPoS、CoGoS、CoG等
3D IC集成与HBM（高带宽存储）技术
3.5D封装方案
扇出型大尺寸封装工艺（FOPLP）、扇出型玻璃基板工艺（FO glass panel process）
嵌入式桥接互连技术
玻璃芯片封装（Chip in Glass, CiG）、系统级模块（SiM）
高频密度互连（HDI）叠层与重布线材料（RDL）- ABF
讲师简介：葛维沪博士在Henkel、摩托罗拉等公司从事IC封装与微电子封装技术工作已有40年。他是IEEE会士，拥有100余篇发表论文和40项专利，并于康奈尔大学获得博士学位。
课程8：《量子力学与分子动力学及在电子制造中应用》
讲师：刘 胜 教授
中国科学院 院士、武汉大学 集成电路学院院长、工业科学研究院执行院长、IEEE Fellow
讲师：郭宇铮 教授
武汉大学 动力与机械学院院长
讲师简介：刘胜，武汉大学教授，斯坦福大学博士，ASME Fellow和IEEE Fellow，微纳制造领域专家，国内芯片封装技术的引领者，2023年当选中国科学院院士。刘胜院士在微纳制造科学与工程技术方面（涉及集成电路、发光二极管LED、微传感器及电力电子IGBT 等芯片封装）取得了系统的创新成果。以第一完成人获2020年国家科学技术进步一等奖、2016年国家技术发明二等奖、2015年教育部技术发明一等奖、2018年电子学会技术发明一等奖、2009年IEEE国际电子封装学会杰出技术成就奖（全球每年1人，国内首人）、2009年中国电子学会特别成就奖、1997年国际微电子及封装学会（IMAPS）技术贡献奖、1995年美国总统教授奖（当年30人），1999年入选首批国家杰青（海外）项目（当年仅7人）。发表SCI 论文424篇、SCI他引6600余次，出版专著6部（英文4部），授权发明专利196件。
郭宇铮，武汉大学动力与机械学院院长，工业科学研究院、电气与自动化学院、中南医院教授，储能与新能源系系主任。本科毕业于北京大学物理学院，硕士毕业于美国佐治亚理工学院材料科学与技术系，博士毕业于英国剑桥大学工程系（导师英国皇家科学院与工程院双院院士John Robertson教授），曾先后在剑桥大学、哈佛大学担任研究员。致力于微纳制造、半导体器件与器件协同设计、储能材料与器件等方面的研究，发表SCI检索200论文余篇，包括Nature、Nature Communications、Science Advances等国际一流刊物，所发表的论文被引用8000余次。主持中组部、科技部、国家自然科学基金委重点项目、南方电网、国家电网等多项基金，总金额达2000余万元。
课程9：《用于电子封装的纳米材料与高分子复合材料》
讲师：吕道强 博士
汉高公司副总裁、IEEE Fellow
课程概要：纳米材料与聚合物复合材料作为粘合剂、封装材料、热界面材料、绝缘体、电介质以及互连导电元件，在电子设备中得到了广泛应用。本短期课程将概述纳米材料与复合材料的最新进展，及其对先进电子封装与集成技术的影响。
讲师简介：吕道强博士在先进半导体封装与集成材料和工艺方面拥有超过25年的经验。他分别于1996年和2000年在佐治亚理工学院获得高分子科学与工程硕士和博士学位。吕博士获得了许多奖项，包括2017年IEEE EPS电子制造技术奖、2004年IEEE/EPS杰出青年工程师奖、2007年IEEE ECTC最佳论文、2003-2007年英特尔申请最多专利。吕博士发表了50多篇期刊论文，为六本书撰写了章节，并拥有100多项授权美国和国际专利。他是《先进封装材料（2008年版和2017年版）》一书的编辑，也是《纳米技术电子导电粘合剂（2009年）》一书的合著者。 他在组织国际电子封装会议和在这些会议中教授专业发展课程方面发挥着关键作用。吕博士是IEEE Fellow，IEEE Transactions on Advanced Packaging和Journal of Nanomaterials的副主编，以及Nanoscience & Nanotechnology-Asia的编委。吕博士还担任华中科技大学、中国科学院深圳先进技术研究院、香港中文大学的兼职教授，以及复旦大学的工业顾问。
课程10：《半导体封装中的高可靠性焊接技术》
讲师：李宁成 博士
中国炫纯科技有限公司创始人、IEEE Fellow
课程概要：半导体焊接工艺要求极为精密，其可靠性直接决定器件性能。本课程深入解析半导体封装焊接可靠性的核心控制参数，涵盖多种材料组合下金属间化合物(IMC)、空洞、电迁移、低温/高温焊接及电化学迁移等关键影响因素，系统阐述失效模式并提供优选材料与设计方案。
课程大纲：
•金属间化合物(IMC)
-铜焊盘晶粒尺寸对IMC的影响
-铜镍相互作用机制
-基底金属Co-P层对IMC的调控作用
•焊接空洞
-焊料形态对空洞的生成影响
-接头高度/温度/电学/力学因素对剪切强度、IMC及柯肯达尔空洞的作用
-铜结构对柯肯达尔空洞的抑制效应
•电化学迁移(ECM)
•电迁移(EM)
-电迁移与热循环对裂纹形成的差异化影响
-背应力对电迁移的调控
-晶粒取向与电迁移的关联性
-再分布层(RDL)设计对电迁移的抑制
-低温Sn-57Bi-1Ag焊料的电迁移特性
-低温焊料合金成分的电迁移效应
-低温焊料表面处理的电迁移影响
•低温焊接(LTS)
-富铋晶须生长机制
-低温焊料的热循环可靠性
-低温焊料坍塌现象
-低温焊料的沉积/热撕裂/铋分层行为
-均质BiSn低温焊料热撕裂与工艺曲线/表面处理的关联
-低温焊料跌落测试
•高温焊接-瞬态液相键合(TLPB)
目标学员：
半导体封装领域需实现高可靠性焊接的研发/工艺/质量工程师，以及希望掌握相关核心技术的专业人士。
讲师简介：李宁成博士是炫纯科技有限公司的创始人。在此之前，他于1986至2021年任职于铟泰公司（Indium），1982至1986年先后在莫顿化学（Morton Chemical）和SCM公司工作。他在SMT行业助焊剂与焊锡材料的研发领域拥有30余年的经验。1981年获得阿克伦大学高分子科学博士学位，1973年获得国立台湾大学化学学士学位。
