日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。这不仅标志着晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控，更为我国SiC产业链的自主化发展提供了强有力的技术支撑。
据悉，浙江晶瑞基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。
此次成功研制出12英寸SiC晶体，大幅度提升晶圆的有效可用面积，快速降低芯片单位成本，是晶盛机电正式迈入超大尺寸SiC衬底新时代的重要标志，将进一步加速我国SiC产业链的完善，为国产SiC材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等行业的快速规模化应用提供可能。
