据联发科官网消息，9月7日早间，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片，预计将于2024年实现量产，并在下半年上市。
据悉，相较于5纳米制程，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。
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据联发科官网消息，9月7日早间，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片，预计将于2024年实现量产，并在下半年上市。
据悉，相较于5纳米制程，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。