3月28日，赛微电子发布2022年年度报告，实现营业收入7.86亿元，同比下降15.37%；归属于上市公司股东的净利润-7336.11万元，上年同期为盈利2.06亿元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-2.28亿元，上年同期为盈利3585.62万元；基本每股亏损0.10元，公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。
赛微电子指出，2022年，公司净利润由盈转亏，业绩亏损的具体原因主要是一方面公司北京MEMS产线（北京FAB3）继续处于运营初期、产能爬坡阶段，折旧摊销压力巨大，工厂运转及人员费用也进一步增长，但同时继续保持了极高的研发强度，叠加公司集团层面股权激励费用等因素，北京MEMS产线的亏损规模进一步扩大；另一方面公司瑞典MEMS产线（瑞典FAB1&2）在国际地缘政治冲突、通货膨胀高企、收购德国FAB5意外失败等的背景下，收入及利润下滑，本报告期瑞典克朗与人民币之间的汇率波动又进一步放大了瑞典MEMS产线的不利变化。
报告期内，公司从事的主要业务包括MEMS工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长及芯片设计，以及因剥离未完成而被动延续的部分原有业务；与此同时，公司围绕半导体主业开展产业投资布局，对实体企业、产业基金进行参股型投资。
赛微电子表示，公司现有MEMS业务包括工艺开发和晶圆制造两大类：
公司MEMS工艺开发业务是指根据客户提供的芯片设计方案，以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标，利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程。
公司MEMS晶圆制造业务是指在完成MEMS芯片的工艺开发，实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供批量晶圆制造服务。
据悉，赛微电子现有GaN业务包括外延材料和芯片设计两个环节：
公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍，根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6-8英寸GaN外延材料。
公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。
GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
赛微电子表示，随着物联网生态系统的逐步发展落地、MEMS终端设备的广泛拓展应用、MEMS产业专业化分工趋势的不断演进，源自通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域的MEMS芯片工艺开发及晶圆制造需求不断增长；公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业。
公司能够制造流量、红外、加速度、压力、惯性等多种MEMS传感器，微流体、微超声、微镜、光开关、硅麦克风、RF射频等多种器件以及各种MEMS基本结构模块，公司MEMS晶圆产品的终端应用涵盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域。
赛微电子认为，GaN材料及芯片具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点，拥有广阔的应用前景；公司拥有业界领先的研发及生产团队，自主掌握GaN外延材料生长的工艺诀窍并积累了丰富的GaN功率及微波芯片设计经验。
公司在GaN外延材料方面拥有一条6-8英寸GaN外延材料产线（一期），具备了相关研发、生长条件，已与下游客户建立合作，形成产品序列并推向市场，形成正式销售。公司在GaN器件设计方面已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，同时正在推动微波器件产品的研发，已形成产品序列并推向市场，已形成正式销售。
报告期内，因业务剥离未完成，公司被动延续部分原有导航业务，业绩影响有限。
报告期内，赛微电子在瑞典拥有一座成熟运转的MEMS晶圆工厂，内含两条8英寸产线；在北京拥有一座处于建成运营初期、具备规模产能的MEMS晶圆工厂，内含一条8英寸产线；该两座晶圆工厂均处于持续扩产状态，其中瑞典产线主要是添购部分设备以满足相关客户的订单需求；北京产线则主要是从原有的5000片/月产能向1万片/月产能扩充，同时持续为扩充至3万片/月产能开展相关工作。
截至报告期末，公司瑞典FAB1＆FAB2出于业务需要，通过添购关键设备继续提升现有产线的整体产能；公司北京FAB3在继续推进一期规模产能（1万片/月）爬坡的同时，继续开展二期规模产能（2万片/月）的建设。报告期内，公司参股子公司聚能国际仍在推进GaN芯片制造产线一期产能（5000片/月）的建设。
