三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

阿斯麦Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元

近日,据朝鲜日报报道,阿斯麦(ASML)将针对1纳米以下制程,计划在2030年推出更先进Hyper-NA EUV光刻机设备,但可能超过7.24亿美元一台的售价会让台积电、三星、英特尔等半导体晶圆代工厂商望而却步。

台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群

5月28日,台亚半导体宣布经股东大会决议,通过了此前提出的8英寸GaN(氮化镓)业务分割计划,并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时,台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理,负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。