复旦大学团队成功研制硅光集成高阶模式复用器芯片

据科技日报消息,日前,复旦大学信息科学与工程学院张俊文研究员、迟楠教授与相关研究团队开展合作,通过精确设计和优化,将多维复用技术引入片上光互连架构,不仅显著提升了数据传输吞吐量,同时在功耗和延迟方面表现卓越,具备极强的扩展性和兼容性,适用于多种高性能计算场景。

三星首款3nm可穿戴芯片发布,采用面板级封装

日前,三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法,提高性能的同时有助于减小体积,为电池预留更大空间,从而延长续航,也为智能手表的设计增添了灵活性。

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。