三星电子率先在DRAM领域导入干式光刻胶技术
三星电子在DRAM内存领域取得了重要技术突破，成为首家引入干式光刻胶（Dry PR）技术的公司。根据韩媒ETNews的报道，这项新技术将应用于即将推出的第六代10纳米级工艺（1c nm）。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
祝贺普莱信智能荣膺国家级专精特新“小巨人”企业
普莱信智能负责人孟总表示：“荣获国家级‘小巨人’称号，我们深感荣幸，也意识到肩负的责任。这
华润微GaN外延生产项目通线
据华润微电子功率器件事业群官微消息，5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式。
SkyWater宣布收购英飞凌8英寸晶圆厂Fab25
自SkyWater官网获悉，当地时间2月26日，SkyWater宣布已与英飞凌达成协议，将收购英飞凌位于得克萨斯州奥斯汀的200mm晶圆厂（“Fab 25”）以及相应的长期供应协议。
恒垚通鑫碳中和新材料高新产业园项目（一期）开工
据消息，日前，恒垚通鑫半导体材料有限公司碳中和新材料高新产业园项目（一期）开工活动举行。
总投资50亿元，先导科技半导体激光雷达及传感器项目投产
10月21日，总投资50亿元的先导科技半导体激光雷达及传感器产业化项目在德州天衢新区正式投产，标志着全国首个覆盖“材料—芯片—整机”的激光雷达全产业链在此完整成形，为我国高端传感器自主可控写下关键一笔。
合肥欣奕华宣布完成超3亿元B+轮融资
6月3日，泛半导体高端装备厂商合肥欣奕华智能机器股份有限公司宣布，国开制造业转型升级基金、朝希资本、安徽高新投、国中资本、超高清视频产业投资基金等基金已完成对公司超3亿元B+轮投资。
总经费86.4亿元，AMD台湾研发中心建设计划核定通过
据台媒报道，AMD获核定通过在中国台湾地区设立亚洲首座研发中心，核定总经费86.4亿元，台湾方面将补助3成。
华实半导体项目一期进入收尾阶段
据消息，近日，华实半导体新材料研发及测试生产基地项目一期已全面进入收尾阶段，装饰装修及室外园林正在收边收口，机电、消防方面正在进行设备调试施工，预计四季度可实现投产。
