台积电熊本第二座晶圆厂建设或延期
据日媒报道，台积电日本子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂动工建设时间已从2025年一季度调整为2025年内，不过该晶圆厂2027年投产的计划没有发生改变。
美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
国博电子“射频芯片和组件项目”投产延期至2025年3月
3月16日，国博电子发布公告称，公司将募集资金投资项目“射频芯片和组件产业化项目”（以下简称“募投项目”）达到预定可使用状态的日期延长至2025年3月。
英诺赛科正计划进一步提升8英寸晶圆产能
据报道，近日，英诺赛科证实，公司将进一步提升8英寸（200mm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7万片/月。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
奕泰微电子完成Pre-A++轮融资
近日，南京奕泰微宣布完成Pre-A++轮融资，基石创投投资，距离上一轮融资仅相隔两个月。至此，公司Pre-A轮累计完成数亿元融资，投资机构包括汇芯投资、德联资本、俱成资本、一旗力合、鹏晨投资、中科创星、同创共进、基石创投，汉能投资担任独家财务顾问。本轮资金主要用于产品研发。
IBM、Rapidus展示多阈值电压GAA晶体管研发成果，有望用于2nm制程
自IBM官方获悉，日前，IBM和日本芯片制造商Rapidus在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压GAA晶体管研发成果，这些技术突破有望用于Rapidus的2nm制程量产。
倒计时5天丨2024慕尼黑华南电子展同期论坛议程大全
慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于2024年10月14-16日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。
