英特尔与新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
英特尔表示，IFS是英特尔IDM 2.0战略的关键支柱，与新思科技的合作无疑是实现IDM 2.0转型目标的重要里程碑，将有助于芯片设计公司充分利用Intel 3和Intel 18A制程节点的优势
江苏常州银芯微功率半导体工厂正式开业
11月25日，据上海陆芯电子科技有限公司（以下简称：上海陆芯）官微消息，常州银芯微功率半导体有限公司（以下简称：银芯微）在常州新北区的新模块代工厂正式开业。
PI官宣收购Odyssey半导体资产
自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。
下半年台积电3nm月产能或达12.5万片 预计2025年Q4量产2nm
台积电目前5/3nm制程产能利用率已达100%，其中3nm为应对各厂商需求加速扩产，下半年月产能将逐步由10万片拉升至约12.5万片。预计2nm最快2025年第四季度量产，目标月产能3万片，随着未来高雄厂区放量，预计竹科、高雄合计月产能达12-13万片。
康宁计划扩大半导体玻璃基板市场份额 拟准备推芯片封装用玻璃芯
康宁韩国业务总裁Vaughn Hall周三表示，康宁希望利用其特殊的专有技术，扩大其在半导体玻璃基板市场的份额。“我对玻璃基板未来的发展寄予厚望，它似乎比目前芯片封装工艺中广泛使用的有机材料基板更具竞争优势。”
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
麦斯克电子8英寸硅外延片项目正进行设备调试
据洛阳融媒报道，近日，位于涧西区的麦斯克电子年产360万片8英寸硅外延片项目加快推进，目前，设备已安装完成，正在进行调试工作。
英特尔宣布俄亥俄州晶圆厂再延期，推迟至2030年
据外媒报道，当地时间3月1日，英特尔宣布对其位于美国俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One晶圆厂的建设时间表进行重大修改。这是该设施原定于2025年完工的第三次大幅推迟。
