新思科技、台积电和Ansys共促多裸晶芯片系统发展
新思科技近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能
SK子公司将斥约37亿元生产芯片用气体
据报道，日前，SK Materials Airplus宣布未来十年内将投资7000亿韩元（约合人民币37亿元）建设生产气态氮(GN2)和洁净干空气(CDA)的工厂。
安森美与伍尔特电子携手升级高精度电力电子应用虚拟设计
功率损耗模型生成工具现已包含无源元件，可更精准地进行设计建模，帮助客户加快产品上市中国上海，2024年11月14日——安森美(onsemi)和伍尔特电子（Würth Elektronik）宣布，伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的PLECS®模型自助生成工具&n
容泰半导体二期工程项目预计于今年5月完工
容泰半导体二期项目进展顺利，厂房占地面积961.52平方米，预计于2024年5月试产，并计划于6月进行量产。
镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
据镓仁半导体官微消息，2024年7月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展，成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报导的最大尺寸，达到国际领先水平。
SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM
自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
Gartner 预测 2023 年全球 AI 芯片收入将增长 21%
根据 Gartner 的最新预测，2023 年全球半导体行业收入将达到约 410 亿英镑（530 亿美元），比 2022 年增长约 20.9%
沪硅产业拟收购二期项目实施主体少数股权，将全资控股“新昇系”
据消息，3月7日，沪硅产业发布晚间公告，披露了关于发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易预案
天岳先进成功交付P型SiC衬底
据天岳先进官微消息，近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
世界先进与恩智浦新加坡合资晶圆厂动土，预计2027年量产
自世界先进官网获悉，12月4日，世界先进（VIS）宣布与恩智浦半导体（NXP）于2024年9月成立的VSMC（VisionPower Semiconductor Manufacturing Company）合资公司，于当日在新加坡淡滨尼举行12英寸（300mm）晶圆厂动土典礼。
