三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

晶合集成业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产

据晶合集成官微消息,近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS(CMOS图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。

盛美上海推出带框晶圆清洗设备

今日,盛美上海推出用于先进封装的带框晶圆清洗设备。该设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆。据悉,带框晶圆清洗设备的创新溶剂回收系统具有环境与成本效益,该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果,进而减少生产过程中化学品用量。​