闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
浙江萃锦半导体器件项目开工
据中电四公司官微消息，日前，浙江萃锦半导体有限公司年产120万只中高功率半导体器件项目开工仪式在宁波慈溪市高新区举行。
内蒙古显鸿集成电路产业园项目正式投产
据内蒙古和林格尔新区官微消息，近日，内蒙古显鸿科技股份有限公司在新建成的显鸿集成电路产业园举行乔迁仪式，标志着显鸿集成电路产业园项目正式投产。
青神美矽半导体封装材料项目预计月底交付
近日，位于青神经开区的美矽年产2万吨半导体封装材料项目（以下简称青神美矽项目）迎来新进展，其主体厂房已完成封顶，停车场已完成施工，即将开展定制化设备安装，预计8月底交付使用，11月投产。
深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息，近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）
ASMPT 宣布关闭位于中国深圳的半导体设备工厂
8月11日，全球领先的半导体和电子制造公司ASMPT 今日宣布，将对其在中国的设备生产和运营进行战略性调整优化。
英伟达将恢复对华H20销售，并推出新款GPU
据央视新闻报道，7月15日，英伟达公司创始人兼首席执行官黄仁勋在北京受访时宣布了两项重要进展：美国已批准H20芯片销往中国，英伟达将推出全新且完全兼容的RTXpro GPU。
