三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
中国开放指令生态（RISC-V）联盟广东省珠海中心揭牌
据消息，7月17日，中国开放指令生态（RISC-V）联盟（英文缩写为CRVA）广东省珠海中心成立大会在珠海高新区举办
北科大携手新紫光，打造面向1nm制程集成电路新赛道
据北京科技大学官微消息，近日，北京科技大学与新紫光集团签约战略合作协议。双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究，开展科技创新、成果转化、人才培养等全方位合作。
下半年台积电3nm月产能或达12.5万片 预计2025年Q4量产2nm
台积电目前5/3nm制程产能利用率已达100%，其中3nm为应对各厂商需求加速扩产，下半年月产能将逐步由10万片拉升至约12.5万片。预计2nm最快2025年第四季度量产，目标月产能3万片，随着未来高雄厂区放量，预计竹科、高雄合计月产能达12-13万片。
日月光半导体开设美国第二厂区，扩大测试服务
近日，日月光投控旗下日月光半导体（ISE Labs）宣布于加州圣荷西开设第二个美国厂区。弗里蒙特厂区与圣荷西厂区运营总面积超过15万平方英尺（约1.39万平方米），将进一步扩大日月光的供应服务能力。
沪硅产业产能升级！55亿元硅材料技术公司成立
据企查查APP显示，近日，太原晋科硅材料技术有限公司成立，注册资本55亿元，经营范围包括半导体分立器件制造、电子专用材料制造、其他电子器件制造、集成电路制造等。
紫光展锐5G芯片通过墨西哥运营商Telcel测试
据紫光展锐官微消息，近日，紫光展锐5G系列移动通信芯片成功通过墨西哥领先运营商Telcel的技术测试，可在Telcel的5G、4G、3G网络上稳定流畅运行。
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
据消息，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
