SK海力士加快16层HBM3E量产进度
据韩媒报道，SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品，新工艺设备正在引进和测试，现有设备也在优化和维护以适应新产品，主要工艺测试结果也正在顺利出炉，为明年初的出样乃至2025上半年的大规模量产与供应打下基础。
韩国拟投资千亿组建新晶圆代工厂KSMC
据韩媒报道，韩国政府可能将考虑创建一家由政府资助的晶圆代工厂商，暂定名为韩国半导体制造公司 （KSMC）。
华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室启动
据华工科技官微消息，12月24日，华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室（以下简称“联合实验室”）启动仪式在华工激光举行。联合实验室旨在通过深度融合产业与学术资源，聚焦光电子信息和高端装备两大产业方向，推动半导体激光装备产业的技术革新与产业升级。
骄成超声总部基地及先进超声装备产业化项目开工
据上海经信委官微消息，近日，上海骄成超声波技术股份有限公司（简称“骄成超声”）总部基地及先进超声装备产业化项目举行开工典礼，建设项目包括骄成超声总部、研发中心、销售中心、产业化中心等。
星曜半导体5G射频滤波器芯片晶圆产线项目投产
据星曜半导体官微消息，12月24日，浙江星曜半导体有限公司（以下简称 “星曜半导体”）在温州湾新区、龙湾区举行了 5G 射频滤波器芯片晶圆产线项目投产仪式，标志着星曜半导体迈出了从 fabless 到 IDM 的里程碑意义的一步。
三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
据韩媒报道，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。
美光公布HBM4、HBM4E最新进展，预计2026年量产
据外媒报道，近日，美光（Micron）公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，该公司预计将于2026年开始量产。
Manz集团德国公司宣布重组
自Manz官网获悉，日前，Manz集团德国公司宣布将启动重组程序。董事会做出决定拟提交申请启动破产程序，理由是公司资不抵债且负债过高。
三星电子获美47.45亿美元芯片补贴
当地时间12月20日，美国商务部宣布将根据芯片激励计划，向三星电子提供至高47.45亿美元（约合人民币346亿元）的直接资金补贴。
