7月27日，港股上市公司赛晶科技（580.HK）发布公告称，公司控股子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”）完成A轮融资。本次融资估值为投后27.2亿元人民币，由天津安晶企业管理咨询合伙企业（有限合伙）、无锡河床润玉创业投资合伙企业（有限合伙）、无锡河床皓玉创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州亚禾星恒创业投资合伙企业（有限合伙）4家投资者合计出资人民币1.6亿元人民币，占股比例5.88%。本次融资后，赛晶科技持股比例为70.53%。
值得一提的是，此次融资有回购条款，其中包括赛晶半导体于4年内完成上市的条款。
赛晶半导体管理层介绍，本次融资所得资金，将重点用于本公司最新的IGBT模块和SiC模块生产线建设。其中，厂房内部建设和设备采购已经开始。此外，资金还将用于人才团队的扩充，以及微沟槽IGBT芯片和SiC芯片等的研发。今年以来，已经有多名具有国际知名半导体企业工作背景的国外技术专家陆续加入。公司将在下半年重点加强国外市场拓展，推动中国制造的精品半导体走向世界。
赛晶半导体成立于2019年。公司已经推出的i20系列1200V、1700VIGBT芯片，采用窄台面、短沟道、3D结构、优化N-型增强层和P+层等多项行业前沿设计，具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能。公司已经率先实现在12寸晶圆代工生产线量产IGBT芯片。
此外，赛晶半导体已经推出的ED封装、ST封装IGBT模块，采用显著提升均流性能的“直线型”布局等多项优化设计，并通过工业4.0的全自动智能制造工艺和质量管理提升了产品电气性能、可靠性、一致性。产品推出之后获得了电动汽车、新能源发电，储能、SVG及其他工控领域客户的认可和批量订单。基于市场拓展成果及客户需求的快速增长，赛晶半导体将加快规划中的第三、四条模块生产线（分别为一个IGBT模块和一个SiC模块生产线）的建设和产能提升。
近期，赛晶半导体将陆续推出两款车规级产品–HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块和IGBT模块，以加强在电动汽车市场的产品布局。此外，微沟槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的研发工作，也已经启动。
据Yole数据预测，至2025年，全球功率半导体分立器件和模块的市场规模将分别达到76亿美元和113亿美元。功率半导体前景广阔，在汽车、充电桩及光储等多轮驱动下，有望实现稳健增长，为千亿赛道奠定坚实路基。
华福证券发布的研报认为，我国在低端功率半导体领域已实现较高国产化率。但中高端产品领域，因壁垒较多，如车规SJMOSFET，IGBT和碳化硅等，进口占比较高。在美制裁和缺芯的当下，实现车规功率半导体自主可控，有助于电动汽车供应链安全和稳定。
