总规模15亿元！苏州基石绿色高端装备产业基金发布
据“张家港发布”公众号消息，日前，苏创投产业创新投融资对接会（张家港）暨苏州基石绿色高端装备产业基金发布仪式在张家港市举行
清纯半导体与士兰微电子继续深化碳化硅合作
据清纯半导体官微消息，1月7日，清纯半导体与士兰微电子2024年终总结会在杭州士兰微电子股份有限公司顺利举行。双方全面回顾了过去一年来在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况，并面向2025年，围绕技术研发、新品规划、产品量产和8寸线产能合作进行了深入探讨。 据悉，清纯半导体将与士兰微电子深化技术合作，推动第二代SiC MOSFET量产爬坡，双方将共同开发包括沟槽型SiC MOSFET等新产品，同时为士兰微电子8寸碳化硅量产线提供技术支撑。士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障，其正在建设的8寸碳化硅
丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆
自日本丰田合成株式会社官网获悉，近日，日本丰田合成株式会社（下简称：丰田合成公司）成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。
Nextin将在中国无锡设立一家子公司
据韩媒报道，Nextin将在中国无锡设立一家子公司，该子公司将于10月开始生产晶圆制造设备。
日本Rapidus试制博通芯片，计划6月交付
据日媒报道，日本半导体制造商Rapidus计划与博通合作，最快于2025年6月提供2纳米制程芯片原型，并有望向博通的客户供应芯片。 有消息称，博通正评估Rapidus的2纳米芯片良率和性能，如果试产芯片符合其要求，将委托Rapidus生产相关高端芯片。
合见工软完成近十亿元A轮投资
据消息，近日，浦东创投集团旗下浦东引领区基金参与完成对国产自主数字EDA领域领先企业上海合见工业软件集团有限公司近十亿元A轮投资。
近百亿元！晶合集成宣布全资子公司已完成增资
据消息，晶合集成发布公告，宣布与十五家外部投资者就向全资子公司皖芯集成增资事宜签署了增资协议，且协议条款保持一致。
韩美半导体第七座HBM TC Bonder工厂开工
自韩美半导体(HANMI)官网获悉，1月6日，韩美半导体举行了其第七座HBM TC Bonder工厂的奠基仪式。
青禾晶元总部落户天津
据“滨海发布”公众号消息，近日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，成为青禾晶元全国总部和上市主体。
美光科技将投资70亿美元打造新加坡存储芯片厂
据媒体报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂已于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。
珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片
自珠海市工信局官网消息，1月7日，珠海市工业和信息化局公开征求 《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》 意见。
北京亦庄发布RISC-V产业发展行动计划
据北京亦庄官微消息，近日，在首届RISC-V产业发展大会上，北京经开区发布RISC-V产业发展行动计划， RISC-V工委会发布多项重要成果。
芯业时代8英寸集成电路生产线项目今年投产
据陕西日报消息，日前，芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体集成电路生产线项目即将全面封顶，预计今年正式投产。
北京市政府投资引导基金增资至2500亿 增幅约150%
据消息，据天眼查APP显示，近日，北京市政府投资引导基金（有限合伙）发生工商变更，出资额由1000.1亿人民币增至2500.1亿人民币，增幅约150%。
韩国加快建设龙仁半导体中心，预计2026年动工
据韩媒报道，近日，韩国龙仁半导体国家产业园区建设方案已获批通过，开工时间从2030年6月提前至2026年12月。
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC芯片项目预计2026年Q1试产
据厦门日报消息，近日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目迎来新进展。
无锡高新区签约两大集成电路项目
据无锡高新区在线官微消息，1月2日，芯源精科半导体设备零部件总部项目、灵明光子光芯片合作项目双双签约落户无锡高新区。
总投资30亿，兴迪6寸GaN外延片生产线项目开工
据悉，此次奠基的GaN外延片生产线建设及封测项目，是兴迪科技在半导体产业领域迈出的重要一步。占地面积达100,000平方米，建筑面积为218,942平方米（其中一期面积为58,070平方米）。
燕东微拟募资40亿元用于12英寸集成电路生产线项目
大半导体产业网消息，燕东微日前发布公告称，公司拟向控股股东、实控人北京电控定增募资不超40.2亿元（含本数），扣除发行费用的净额拟投资于北电集成12英寸集成电路生产线项目以及补充流动资金。公告显示，北电集成12英寸集成电路生产线项目总投资额为330亿元，规划建设 12 英寸集成电路芯片生产线，产品主要面向显示驱动、数模混合、嵌入式 MCU 等领域，搭建 28nm-55nmHV/MS/R
消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试产
据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。
