三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

台积高雄第三座2纳米厂来了

台积电高雄第一座2纳米厂施工中,第二座2纳米厂也已启动,第三座高雄P3厂用地17.22公顷,24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区,未来再通过环评、土污解除列管之后,即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。

安世半导体将在德国汉堡投资2亿美元

6月27日,在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际,安世半导体与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布:计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时,晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。

美方宣布对华加征关税,多方回应

日前,美国拜登政府宣布对华加征301关税四年期复审结果,在原有对华301关税基础上,进一步提高对自华进口的电动汽车、锂电池、光伏电池、关键矿产、半导体以及钢铝、港口起重机、个人防护装备等产品的加征关税。

台积电CoWoS扩产瓶颈解除 产能有望大幅提升

台积电在2025-2026年的扩产计划中,成功克服关键瓶颈,将显著提升CoWoS产能。台积电已将2025年底的CoWoS产能预测从先前的6-6.2万片/月上调至7万片/月。新增产能将主要用于生产CoW-S产品,以应对英伟达B200A生产时程提前的需求。

杭州士兰测试生产基地项目开工

据浙江中南控股集团官微消息,3月20日,杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰测试生产基地项目开工奠基仪式盛大举行,由浙江中南集团承建。

英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin,加速迭代进程

6月2日,英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展(COMPUTEX)发表主题演讲。演讲中,黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时,其透露下一代AI平台名称为“Rubin”,该平台基于3nm制程打造,并采用8层HBM4内存,CoWoS-L封装,将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存,计划于2027年推出。

PI官宣收购Odyssey半导体资产

自Power Integrations (PI) 官网获悉,5月7日,PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。

芯联集成收购芯联越州72.33%股权,发力功率半导体

据消息,芯联集成6月21日发布晚间公告称,公司拟通过发行股份及支付现金的方式收购控股子公司芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司(以下简称“芯联越州”)剩余72.33%股权。交易完成后,芯联越州将成为公司全资子公司。

下半年台积电3nm月产能或达12.5万片 预计2025年Q4量产2nm

台积电目前5/3nm制程产能利用率已达100%,其中3nm为应对各厂商需求加速扩产,下半年月产能将逐步由10万片拉升至约12.5万片。预计2nm最快2025年第四季度量产,目标月产能3万片,随着未来高雄厂区放量,预计竹科、高雄合计月产能达12-13万片。​